长鑫科技集团股份有限公司唐怡获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫科技集团股份有限公司申请的专利存储结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120166689B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311728494.0，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权存储结构及其制造方法是由唐怡设计研发完成，并于2023-12-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开实施例涉及半导体领域，提供一种存储结构及其制造方法，结构包括：存储晶体管、位线和电容，多个存储晶体管在沿第一方向间隔排列，存储晶体管包括沿第二方向相对设置的第一侧和第二侧；位线包括沿第一方向上交替连接的第一部分和第二部分，第一部分位于存储晶体管的第一侧，第二部分位于相邻存储晶体管的第二侧，在沿第一方向上，相邻的存储晶体管分别连接第一部分和第二部分；电容位于存储晶体管在沿第二方向上远离位线的一侧，电容与半导体层电连接。本公开实施例提供的存储结构及其制造方法至少以利于提高存储结构的集成密度。
本发明授权存储结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种存储结构，其特征在于，包括： 存储晶体管，多个所述存储晶体管在沿第一方向间隔排列，所述存储晶体管包括沿第二方向相对设置的第一侧和第二侧，所述存储晶体管包括：字线、栅介质层和半导体层，所述字线沿第三方向延伸；所述栅介质层以所述第三方向为轴环绕所述字线的至少部分表面；所述半导体层位于所述栅介质层远离所述字线的表面； 位线，所述位线包括沿所述第一方向上交替连接的第一部分和第二部分，所述第一部分位于所述存储晶体管的所述第一侧，所述第二部分位于相邻所述存储晶体管的所述第二侧，在沿所述第一方向上，相邻的所述存储晶体管的所述半导体层分别连接所述第一部分和所述第二部分； 多个电容，所述电容位于所述存储晶体管在沿所述第二方向上远离所述位线的一侧，所述电容与所述半导体层电连接。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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