买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉长鑫科技集团股份有限公司申请的专利存储器及存储器的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120166691B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311739681.9，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权存储器及存储器的形成方法是由黄猛设计研发完成，并于2023-12-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本存储器及存储器的形成方法在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体器件结构设计领域，特别涉及一种存储器及存储器的形成方法，存储器包括：第一半导体结构，第一半导体结构包括第一基底、于第一基底上多层堆叠设置的存储阵列和位于存储阵列上的第一布线互连层；第一布线互连层包括位于存储阵列顶部的第一接触层，第一接触层具有字线接触区和位存接触区，字线接触区中设置有多个第一字线接触，位存接触区中设置有至少一个第一存储接触和多个第一位线接触；第一布线互连层包括位于第一接触层顶部的字线互连层，字线互连层中设置有字线互连结构，字线互连结构于第二方向上延伸且于第一方向间隔设置，且接触连接在第二方向排列的第一字线接触；第一存储接触和第一位线接触贯穿字线互连层。

本发明授权存储器及存储器的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器，其特征在于，包括： 第一半导体结构，所述第一半导体结构包括第一基底、于所述第一基底上多层堆叠设置的存储阵列和位于所述存储阵列上的第一布线互连层； 所述存储阵列包括字线、位线和电容单元；其中，所述字线于所述存储阵列的堆叠方向上延伸且于第一方向间隔设置，所述位线于所述第一方向上延伸且于所述堆叠方向和第二方向上间隔设置，所述第一方向和所述第二方向相互垂直且平行于所述第一基底所在平面； 所述第一布线互连层包括位于所述存储阵列顶部的第一接触层，所述第一接触层具有字线接触区和位存接触区，所述字线接触区中设置有多个第一字线接触，所述位存接触区中设置有至少一个第一存储接触和多个第一位线接触；其中，所述第一字线接触接触连接所述字线，所述第一存储接触接触连接所述电容单元的上电极，所述第一位线接触接触连接所述位线； 所述第一布线互连层包括位于所述第一接触层顶部的字线互连层，所述字线互连层中设置有字线互连结构，所述字线互连结构于所述第二方向上延伸且于所述第一方向间隔设置，且接触连接在所述第二方向排列的所述第一字线接触；所述第一存储接触和所述第一位线接触贯穿所述字线互连层。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长鑫科技集团股份有限公司，其通讯地址为：230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。