北京超弦存储器研究院邵峰获国家专利权
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龙图腾网获悉北京超弦存储器研究院申请的专利存储器及其制造方法, 电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120166716B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311735873.2，技术领域涉及：H10B99/00；该发明授权存储器及其制造方法, 电子设备是由邵峰;戴瑾;余泳;王祥升;康卜文设计研发完成，并于2023-12-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器及其制造方法, 电子设备在说明书摘要公布了：本申请一些实施例提供了一种存储器及其制造方法。在本申请一些实施例所提供的存储器的制造方法中，在衬底的一侧形成存储结构后，直接在存储结构远离衬底的一侧形成第一场效应管，使得第一场效应管的第一电极与存储结构的字线连接，从而实现第一场效应管与存储结构的电连接。相较于相关存储器的制造方法而言，通过在同一块衬底上形成存储结构和第一场效应管，能够降低存储器的制造成本以及制造难度，有助于提高存储器的制造效率以及成品率。
本发明授权存储器及其制造方法, 电子设备在权利要求书中公布了：1.一种存储器的制造方法，其特征在于，包括： 在衬底的一侧形成存储结构；所述存储结构包括至少一层存储阵列、字线和位线；存储阵列包括至少一个存储单元； 在存储结构远离衬底的一侧形成至少一个第一叠置结构；所述第一叠置结构包括叠置的至少一层第一牺牲结构和至少一层第一半导体结构； 形成第一电极，使得所述第一电极与所述字线和所述第一半导体结构连接； 去除部分所述第一牺牲结构，使得部分所述第一半导体结构露出； 在所述第一半导体结构露出的表面依次形成第一介质结构和第一栅极； 形成第二电极，使得所述第二电极与所述第一半导体结构连接，形成第一场效应管。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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