杭州市北京航空航天大学国际创新研究院(北京航空航天大学国际创新学院)张忠翔获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾,真高效! 查专利查商标用IPTOP,全免费!专利年费监控用IP管家,真方便!
龙图腾网获悉杭州市北京航空航天大学国际创新研究院(北京航空航天大学国际创新学院)申请的专利基于异质材料3D封装集成的片上天线与脉冲源集成器件及方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120237411B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510703859.7,技术领域涉及:H01Q1/38;该发明授权基于异质材料3D封装集成的片上天线与脉冲源集成器件及方法是由张忠翔;方霄;郑翔宇;肖晨;赵巍胜设计研发完成,并于2025-05-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于异质材料3D封装集成的片上天线与脉冲源集成器件及方法在说明书摘要公布了:本发明公开了基于异质材料3D封装集成的片上天线与脉冲源集成器件及方法,涉及天线技术领域;包括基衬底:基衬底的上表面用于安装辐射结构;光电导衬底:光电导衬底的上表面用于安装激励结构;互联结构用于实现辐射结构与激励结构之间的电连接,贯穿孔通过TSV或TGV工艺在基衬底上开设,贯穿整个基衬底;导电填充材料填充在贯穿孔内;焊球设置在基衬底贯穿孔位置的下表面,由导电助焊金属制成;GSG电极设置在光电导衬底上表面;该器件采用3D封装技术,将辐射结构与激励结构集成在同一芯片上,突破了传统电学脉冲源110GHz的频率限制,具有高频性能、低介电损耗、高集成度等优点,适用于无线通信、雷达测距系统等领域。
本发明授权基于异质材料3D封装集成的片上天线与脉冲源集成器件及方法在权利要求书中公布了:1.基于异质材料3D封装集成的片上天线与脉冲源集成器件,其特征在于:包括: 基衬底:由低介电损耗材料制成,所述基衬底的上表面用于安装辐射结构,所述辐射结构用于发射和接收高频电磁波; 光电导衬底:由光电导材料制成,所述光电导衬底的上表面用于安装激励结构,所述激励结构用于在激光激励下产生高频交变电流; 互联结构:用于实现所述辐射结构与所述激励结构之间的电连接,所述互联结构包括: 贯穿孔:通过TSV或TGV工艺在所述基衬底上开设,贯穿整个基衬底; 导电填充材料:填充在所述贯穿孔内,通过电镀工艺形成; 焊球:设置在所述基衬底贯穿孔位置的下表面,由导电助焊金属制成; GSG电极:设置在所述光电导衬底上表面,与所述焊球对准焊接,实现所述基衬底与所述光电导衬底之间的电互联; 所述基衬底与光电导衬底通过异质晶圆键合,所述TSVTGV贯穿孔、导电填充材料、焊球与GSG电极共同构成阻抗连续且共地隔离的3D互连体系,以在110GHz以上频段实现辐射结构与激励结构的低损耗双向信号传输,所述辐射结构和激励结构通过仿真设计软件HFSS进行优化设计,以实现高频电磁波的辐射与接收功能。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人杭州市北京航空航天大学国际创新研究院(北京航空航天大学国际创新学院),其通讯地址为:311115 浙江省杭州市余杭区瓶窑镇双红桥街166号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议,有机会获取IP积分或其他奖励