电子科技大学文岐业获国家专利权
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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种Ti3AlC2-MAX相的类倒金字塔结构太赫兹吸波器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120264722B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510386605.7，技术领域涉及：H05K9/00；该发明授权一种Ti3AlC2-MAX相的类倒金字塔结构太赫兹吸波器及其制备方法是由文岐业;蒋渝天;罗敏;陈子昊;焦卫士设计研发完成，并于2025-03-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种Ti3AlC2-MAX相的类倒金字塔结构太赫兹吸波器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于太赫兹吸波技术领域，涉及太赫兹波吸波材料，具体提供一种Ti3AlC2‑MAX相的类倒金字塔结构太赫兹吸波器及其制备方法，为太赫兹频段提供一种宽频带吸收特性、耐高温特性以及抗氧化特性的一体化成型高应力吸波器；本发明基于3D打印技术进行结构定型，设计得到一种类倒金字塔结构，然后通过焦耳闪烧的方式制备了一种Ti3AlC2‑MAX相类倒金字塔结构太赫兹吸波器，其在1‑4THz的频段内反射损耗最低为25dB，最大反射损耗可达50dB，具有良好的吸收性能；同时，该太赫兹吸收器具有耐高温和强应力等特点，在太赫兹吸波领域展现出突出的应用前景。
本发明授权一种Ti3AlC2-MAX相的类倒金字塔结构太赫兹吸波器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种Ti3AlC2-MAX相的类倒金字塔结构太赫兹吸波器，其特征在于，所述太赫兹吸波器呈网格结构，每个网格单元采用类倒金字塔结构；所述类倒金字塔形结构为空腔结构，由N层正方形线体依次堆叠构成，每层正方形线体中心重合设置，且按照从下到上的顺序正方形线体的边长依次等量递增；所述正方形线体采用Ti3AlC2-MAX相材料；所述类倒金字塔结构中，正方形线体的层数的取值范围为：N≥4。
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