天津大学耿德超获国家专利权
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龙图腾网获悉天津大学申请的专利一种形貌可控制备星状二硫化钼单晶的方法及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120273023B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510507130.2，技术领域涉及：C30B25/00；该发明授权一种形貌可控制备星状二硫化钼单晶的方法及其应用是由耿德超;张晴;王永帅;李琳设计研发完成，并于2025-04-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种形貌可控制备星状二硫化钼单晶的方法及其应用在说明书摘要公布了：本发明属于二维材料制备与器件制备技术领域，更具体的说是涉及一种形貌可控制备星状二硫化钼单晶的方法及其应用。本发明基于氧等离子体预处理与化学气相沉积给出了一种形貌可控制备星状单层二硫化钼的方法，通过引入新型氧等离子体辅助技术，对生长基底进行氧等离子体预处理，改善TMDs的生长环境，协同化学气相沉积，实现高质量星状二硫化钼单晶的大规模制备，解决了现有技术中图案调控精度低、可重复性差以及异质集成能力不足的缺陷，并为其在高速、高精度电子器件中的应用提供可靠的材料基础。
本发明授权一种形貌可控制备星状二硫化钼单晶的方法及其应用在权利要求书中公布了：1.一种基于氧等离子体预处理与化学气相沉积的形貌可控制备星状单层二硫化钼单晶的方法，其特征在于，步骤包括： 以钼源粉末和硫源粉末为前驱体，以氯化钠或氯化钾为辅助剂，以经氧等离子体处理的SiSiO2衬底作为生长基底，以惰性气体作为载气，经化学气相沉积，制备得到所述星状单层二硫化钼单晶； 所述化学气相沉积中钼源粉末和辅助剂混合后与SiSiO2衬底相对放置； 所述钼源粉末包括二氧化钼粉末和或三氧化钼粉末； 所述硫源粉末为硫粉末； 所述钼源粉末、硫源粉末和辅助剂的质量比为1:100:0.1； 所述氧等离子体处理的功率为80W，时间为5-10min； 所述惰性气体为氩气，流量为30-60sccm； 所述化学气相沉积的生长温度为750℃，时间为10min； 所述钼源粉末和辅助剂混合后与所述SiSiO2衬底相对放置的距离为0.5cm。
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