北京集成电路装备创新中心有限公司孙春雨获国家专利权
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龙图腾网获悉北京集成电路装备创新中心有限公司申请的专利半导体结构的加工方法和半导体工艺设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120358767B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510526148.7，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体结构的加工方法和半导体工艺设备是由孙春雨;徐文清;赵雷超;史小平设计研发完成，并于2025-04-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的加工方法和半导体工艺设备在说明书摘要公布了：本申请公开一种半导体结构的加工方法和半导体工艺设备，属于半导体加工技术领域，加工方法包括：提供待刻蚀件，待刻蚀件包括目标刻蚀层、图案化掩膜层和介质结构，目标刻蚀层具有多个隔离槽，图案化掩膜层位于目标刻蚀层的上方，介质结构填充于图案化掩膜层和各隔离槽中，且介质结构的顶面与图案化掩膜层的顶面平齐，图案化掩膜层用以在目标刻蚀层上形成多个隔离槽的过程中作为掩膜结构；去除介质结构中填充于图案化掩膜层中的部分；去除图案化掩膜层；去除剩余的介质结构中的部分至预设深度。上述加工方法可以解决目前在浅沟槽隔离工艺过程中，去除鳍形结构上方的层结构时，容易出现鳍形结构断裂的情况，导致器件性能下降，良率降低的问题。
本发明授权半导体结构的加工方法和半导体工艺设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的加工方法，其特征在于，包括： 提供待刻蚀件，其中，所述待刻蚀件包括目标刻蚀层10、图案化掩膜层20和介质结构30，所述目标刻蚀层具有多个隔离槽12，所述图案化掩膜层20位于所述目标刻蚀层10的上方，所述介质结构30填充于所述图案化掩膜层20和各所述隔离槽12中，且所述介质结构30的顶面与所述图案化掩膜层20的顶面平齐，所述图案化掩膜层20用以在所述目标刻蚀层10上形成多个所述隔离槽12的过程中作为掩膜结构； 去除所述介质结构中填充于所述图案化掩膜层中的部分，使得所述图案化掩膜层整体地暴露设置； 去除所述图案化掩膜层； 去除剩余的所述介质结构中的部分至预设深度。
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