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龙图腾网获悉辽宁天裕宏创新能源科技有限公司申请的专利一种氧化物固态电解质薄膜的磁控溅射制备工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120536882B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510752146.X，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权一种氧化物固态电解质薄膜的磁控溅射制备工艺是由代冰设计研发完成，并于2025-06-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种氧化物固态电解质薄膜的磁控溅射制备工艺在说明书摘要公布了：本发明公开了一种氧化物固态电解质薄膜的磁控溅射制备工艺，涉及电解质制备领域，包括以下步骤：衬底预处理、动态温度控制溅射、梯度多层结构沉积、原位退火处理与后处理。本发明通过多步骤优化提升氧化物固态电解质薄膜性能：衬底预处理提升清洁度与结合强度；动态温度控制精准调控结晶，结晶度达85％‑90％；梯度多层结构构建离子传导网络，传导率提升40％，界面扩散率≤3％；原位分层退火匹配掺杂调整温度与气氛，增强稳定性；后处理程序控温维持真空，保障性能稳定。

本发明授权一种氧化物固态电解质薄膜的磁控溅射制备工艺在权利要求书中公布了：1.一种氧化物固态电解质薄膜的磁控溅射制备工艺，其特征在于，包括以下步骤： 步骤一：衬底预处理：采用射频等离子体源对衬底表面进行原位清洗，所述等离子体由纯度≥99.99％的氩气和氧气通过质量流量控制器按体积比3:1-5:1混合产生，在功率100-200W、气压0.3-0.5Pa条件下处理5-10分钟，所述衬底为表面镀有钛酸锶缓冲层的蓝宝石基底； 步骤二：动态温度控制溅射：使用双区电阻加热装置对衬底进行温度控制，初始温度设定为150-200℃，在溅射前10分钟内以15-20℃分钟的速率线性升温至300-400℃，随后通过热电偶闭环反馈系统保持恒温；溅射过程中采用13.56MHz射频电源，功率密度为3-5Wcm2，溅射气压为0.5-1.0Pa，氩气流量20-30sccm，氧气流量5-10sccm，靶材与衬底间距保持5-8cm； 步骤三：梯度多层结构沉积：采用复合靶材共溅射技术，依次沉积至少三层氧化物固态电解质层，每层成分通过调节Al2O3靶与Ta2O5靶的溅射占空比实现梯度变化：底层Al2O3掺杂量5-8mol％、Ta2O5掺杂量1-3mol％，中间层Al2O3掺杂量3-5mol％、Ta2O5掺杂量3-5mol％，顶层Al2O3掺杂量1-3mol％、Ta2O5掺杂量5-8mol％；每层厚度通过石英晶体微天平实时监测，控制在50-100nm； 步骤四：原位退火处理：每完成一层沉积后，立即启动红外加热模块，在500-600℃下退火10-15分钟，退火气氛为氩气与氧气的混合气体，通过质量流量控制器控制氩氧体积比为10:1-20:1，氧气流量固定为1sccm，氩气流量10-20sccm； 步骤五：后处理：溅射完成后，关闭加热装置，在压强1×10-3-5×10-3Pa的真空环境中，通过程序控制以2℃min的速率降温至25±2℃。

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