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龙图腾网获悉浙江大学;国网浙江省电力有限公司电力科学研究院申请的专利一种3D封装的低寄生电感SiC功率模块获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120568828B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511038710.8，技术领域涉及：H10D80/20；该发明授权一种3D封装的低寄生电感SiC功率模块是由吴赞;王茹;王异凡;骆丽;王尊设计研发完成，并于2025-07-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种3D封装的低寄生电感SiC功率模块在说明书摘要公布了：本发明公开一种3D封装的低寄生电感SiC功率模块，包括基板层、芯片层、连接层、中间层、去耦电容；芯片层与基板层电气连接；所述中间层位于上芯片层和下芯片层之间，所述上连接层和下连接层为开窗型铜块，外接DC端子，用于连接上基板层和去耦电容；所述去耦电容为设于所述中间层的旁侧的两组电容，与上连接层和下连接层电气连接。通过采用高导电率的铜材料，与叠层和基板内铜层相连形成中间层，明显降低机身电感，提高散热效果，在高频、高压、大功率应用中具有明显的优势，能够有效提高电力电子系统的整体性能和可靠性。

本发明授权一种3D封装的低寄生电感SiC功率模块在权利要求书中公布了：1.一种3D封装的低寄生电感SiC功率模块，其特征在于，包括依次堆叠的上基板层、上芯片层、上连接层、中间层、去耦电容、下连接层、下芯片层和下基板层；所述中间层为铜块组成； 所述上基板层和下基板层分别包括外铜层、陶瓷层和内铜层；芯片层与基板层的内铜层连接；芯片层与基板层电气连接；所述上芯片层堆叠布置在上基板层内侧上，所述下芯片层堆叠布置在下基板层内侧上； 所述中间层位于上芯片层和下芯片层之间，中间层两侧分别通过钼铜块为缓冲层与芯片层电气连接；所述中间层还设有AC连接端子；所述AC连接端子通过回流焊焊接在中间层上；所述钼铜块与芯片层连接时不完全覆盖芯片层，未覆盖部分用于设置芯片层的栅极； 所述上连接层和下连接层为开窗型铜块，外接DC端子，所述上连接层位于中间层和上基板层之间，用于连接上基板层和去耦电容；所述下连接层位于中间层与下基板层之间，用于连接下基板层和去耦电容； 所述去耦电容为设于所述中间层的旁侧的两组电容，与上连接层和下连接层电气连接； 所述上基板层和下基板层的外铜层上设有刻蚀的散热微通道。

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