中国计量大学房双强获国家专利权
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龙图腾网获悉中国计量大学申请的专利一种应力分布延时成像薄膜及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120574424B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511079567.7，技术领域涉及：C08J5/18；该发明授权一种应力分布延时成像薄膜及其制备方法和应用是由房双强;叶志杰;程昊亮;区嘉祺;周舟;王乐设计研发完成，并于2025-08-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种应力分布延时成像薄膜及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明涉及应力发光弹性薄膜及应力分布延时成像检测技术领域，具体涉及一种应力分布延时成像薄膜及其制备方法和应用。具体制备方法包括：将Sr源、二氧化硅、Eu源和Dy源采用湿法研磨混合，干燥后，在1200℃～1300℃下烧结，之后进行研磨，得到混合粉体；将混合粉体与弹性基体的前体混合物混合后，进行加热固化，得到应力分布延时成像薄膜。本发明主要采用高温固相法合成一种特殊的混合粉体，所述混合粉体通过巧妙地共掺杂Eu2+和Dy3+等多种元素，不仅赋予所制备的应力分布延时成像薄膜的热致发光的特性，还显著增强其应力发光强度，有效解决现有的应力发光弹性薄膜在延时应力显示中应力发光强度低的问题。
本发明授权一种应力分布延时成像薄膜及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种应力分布延时成像薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 将Sr源、二氧化硅、Eu源和Dy源采用湿法研磨混合，干燥后，在1200℃～1300℃下烧结，之后进行研磨，得到混合粉体；Sr源、二氧化硅、Eu源和Dy源的摩尔比为1.8～2：1：0.2～0.25：0.8～1； 将混合粉体与弹性基体的前体混合物混合后，进行加热固化，得到应力分布延时成像薄膜。
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