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龙图腾网获悉福建金石能源有限公司申请的专利具有特定开口结构的联合钝化背接触电池及其制法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120583784B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511086623.X，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权具有特定开口结构的联合钝化背接触电池及其制法和应用是由林朝晖;林楷睿;黄巍辉;张超华设计研发完成，并于2025-08-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有特定开口结构的联合钝化背接触电池及其制法和应用在说明书摘要公布了：本发明属于背接触电池技术领域，具体涉及一种具有特定开口结构的联合钝化背接触电池及其制法和应用，包括：S6、直接在第二掺杂硅层表面沉积透明导电膜层；S7、对位于第一半导体层所在区域对应外表面上的第二半导体层和透明导电膜层进行第二开口，形成第二开口区；控制第二开口区的宽度为对应第一半导体层宽度的20%‑100%；S8、先在S7所得第二开口区的对应裸露表面上直接印刷第一银浆，再对第一银浆进行激光烧结；然后在第一开口区位置对应区域外表面印刷第二银浆，再对第二银浆进行烘烤固化。本发明能够在有效减少对各功能膜层造成破坏的同时，提升载流子导出性能，从而提升电池转换效率，同时简化工艺，降低成本。

本发明授权具有特定开口结构的联合钝化背接触电池及其制法和应用在权利要求书中公布了：1.一种联合钝化背接触电池的制作方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、提供硅片； S2、在硅片背面依次形成第一半导体层和掩膜层；第一半导体层包含隧穿氧化层和第一掺杂多晶硅层； S3、在S2所得背面进行第一开口，形成第一开口区； S4、制绒清洗，至少在第一开口区形成制绒面； S5、在背面沉积第二半导体层，第二半导体层包含本征非晶硅层和第二掺杂硅层； S6、直接在S5所得第二掺杂硅层表面沉积透明导电膜层； S7、对位于第一半导体层所在区域对应外表面上的第二半导体层和透明导电膜层进行第二开口，以裸露第一半导体层或其对应掩膜层，形成第二开口区；控制第二开口区的宽度为对应第一半导体层宽度的20%-100%； S8、先在S7所得第二开口区的对应裸露表面上直接印刷第一银浆，再对第一银浆进行激光烧结，形成第一银浆电极；然后在第一开口区位置对应区域外表面印刷第二银浆，再对第二银浆进行烘烤固化，形成第二银浆电极。

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