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龙图腾网获悉深圳先进技术研究院申请的专利射频场不均匀性校正方法、装置、电子设备及程序产品获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120595209B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510927744.6，技术领域涉及：G01R33/565；该发明授权射频场不均匀性校正方法、装置、电子设备及程序产品是由吴垠;唐昊;郑海荣;梁栋设计研发完成，并于2025-07-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本射频场不均匀性校正方法、装置、电子设备及程序产品在说明书摘要公布了：本申请适用于磁共振成像技术领域，提供了一种射频场不均匀性校正方法、装置、电子设备及程序产品。该方法包括获取扫描对象中各位置处在两个预设射频场强度下的实际射频场强度、在第一化学位移处和第二化学位移处的实际CEST信号强度；基于同一位置在两个预设射频场强度下的实际射频场强度和在第一化学位移处的实际CEST信号强度确定第一理想CEST信号强度；基于同一位置在两个预设射频场强度下的实际射频场强度和在第二化学位移处的实际CEST信号强度确定第二理想CEST信号强度；基于同一位置在目标射频场强度下的上述两个理想CEST信号强度确定GluCEST信号强度。通过本申请可提高GluCEST信号强度测量的准确性。

本发明授权射频场不均匀性校正方法、装置、电子设备及程序产品在权利要求书中公布了：1.一种射频场不均匀性校正方法，其特征在于，包括： 在射频场强度为第一预设射频场强度的情况下，获取扫描对象中各位置处的第一实际射频场强度、在第一化学位移处的第一实际化学交换饱和转移CEST信号强度和在第二化学位移处的第二实际CEST信号强度，所述第一化学位移为谷氨酸的化学位移，所述第二化学位移为所述谷氨酸相对于水分子对侧的化学位移； 在所述射频场强度为第二预设射频场强度的情况下，获取所述扫描对象中各位置处的第二实际射频场强度、在所述第一化学位移处的第三实际CEST信号强度和在所述第二化学位移处的第四实际CEST信号强度，所述第二预设射频场强度与所述第一预设射频场强度不同； 基于同一位置处的所述第一实际射频场强度、第一实际CEST信号强度、所述第二实际射频场强度和所述第三实际CEST信号强度，确定对应位置在目标射频场强度下在所述第一化学位移处的第一理想CEST信号强度； 基于同一位置处的所述第一实际射频场强度、所述第二实际CEST信号强度、所述第二实际射频场强度和所述第四实际CEST信号强度，确定对应位置在所述目标射频场强度下在所述第二化学位移处的第二理想CEST信号强度； 基于同一位置在所述目标射频场强度下的所述第一理想CEST信号强度和所述第二理想CEST信号强度，确定对应位置在所述目标射频场强度下的谷氨酸GluCEST信号强度。

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