买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉沈阳诺思真空技术有限公司申请的专利基于高纯铯的光电阴极铯膜大面积均匀分子束蒸发沉积方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120666294B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511168288.8，技术领域涉及：G06F30/28；该发明授权基于高纯铯的光电阴极铯膜大面积均匀分子束蒸发沉积方法是由王平倬;李向新;魏征设计研发完成，并于2025-08-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于高纯铯的光电阴极铯膜大面积均匀分子束蒸发沉积方法在说明书摘要公布了：本发明涉及光电阴极制造技术领域，提供基于高纯铯的光电阴极铯膜大面积均匀分子束蒸发沉积方法，采用高纯铯单质铯源并配合超高真空建立与维持技术，实现铯源长效重复使用；采用多温区梯度蒸发设计结合自适应PID算法与热耦合补偿机制，实现跨区域温度协同控制；通过热力学‑流体力学双模沉积控制策略，根据沉积速率动态切换模式，高速阶段抑制热惯性扰动，低速阶段修正粘滞阻力，保障束流密度稳定性；设计了发生器及串联的铯源室、蒸发器和喷管机构，形成连续稳定的分子束流沉积；本发明攻克了传统工艺膜层均匀性差、速率失稳及终点误判难题，可实现大面积或单次多基片的铯膜沉积，达到工业级稳定性、实验室级精度与量产级效率。

本发明授权基于高纯铯的光电阴极铯膜大面积均匀分子束蒸发沉积方法在权利要求书中公布了：1.基于高纯铯的光电阴极铯膜大面积均匀分子束蒸发沉积方法，其特征在于，包括以下步骤： S1，超高真空环境建立：使用复合真空发生装置维持铯源室、蒸发器、喷管机构高真空状态； S2，解封高纯铯源：开启装有单质铯的安瓿仓，蒸气态的铯进入蒸发器； S3，梯度温场蒸发：在蒸发器内设置n个温场分区，经n个温场分区，铯转化为蒸气形态的分子束流，通过微调阀进入喷管机构，经喷口进入沉积室向沉积室的基片沉积；在此过程中，通过自适应PID温度动态调控方法实现各温区温度精准控制； S4，双模动态沉积控制：采用热力学-流体力学双模算法实时调节沉积速率及束流密度； S5，沉积时间控制：根据基片光电流信号控制沉积时间； S3的具体步骤包括： S31：实时采集蒸发器各区域温度值，其中代表温场分区编号； S32：计算温度偏差； ：第分区设定温度，单位℃；：第分区实时温度，单位℃；：温度偏差值，单位℃；：当前时间； S33：采用自适应PID算法输出控制量： ； ：PID基础控制输出量，无量纲；：比例控制增益系数，无量纲；：积分控制增益系数，单位；：微分控制增益系数，单位；：积分运算符，表示对历史偏差累积求和；：微分运算符，表示对当前偏差变化率求导；：积分时间变量； S34：通过温场耦合补偿器修正相邻分区热干扰： ； ：热耦合补偿量，单位W；：分区对分区的热耦合系数，单位W℃，通过实验标定；：第分区实时温度，单位℃；：第分区设定温度，单位℃； S35：最终蒸发器各区功率，实现各温区温度精确控制； S3中，在蒸发器内设置三个温场分区，分别为解封区、传输通道区和蒸发区，解封区的设定温度为160℃；传输通道区的设定温度为180℃；蒸发区的设定温度为260℃； S4的具体步骤包括： S41：建立铯原子传输模型，计算束流密度： ； ：铯原子束流密度，单位：；：蒸发区功率，单位W；：蒸发效率修正系数，无量纲；：蒸发器出口半径，单位cm；：蒸发器出口至基片距离，单位cm；：铯原子质量，单位gmol；：玻尔兹曼常数，；：蒸发区绝对温度，单位K； S42：基于流体连续性方程实时调节沉积速率： ； ：沉积速率，单位：nms；：铯的摩尔质量，132.9gmol；：铯薄膜密度，单位gcm3；：基片沉积面积，单位cm2； S43：设定双模控制器约束波动范围，根据沉积速率切换控制模式： S431，当时激活热力学模式； S432，当时激活流体力学模式； S44：通过质量流量控制器反馈调节蒸发区功率及温场梯度，实现束流密度波动率；沉积速率在0.0001–10nms连续可调； S43的具体实施步骤包括： 当激活热力学模式时，按以下步骤进行： 步骤S4311：构建前馈补偿器抑制热惯性扰动： ； ：前馈功率补偿量，单位W；：系统热时间常数，单位s；：热传导增益系数，无量纲；：微分运算符，计算设定功率变化率；：蒸发器设定功率，单位W； 步骤S4312：更新蒸发区功率： ； ：实际执行功率，单位W； 步骤S4313：通过温度-功率耦合方程验证稳定性： ； ：蒸发区温度变化率，单位Ks；：热损失系数，单位WK；：环境温度，单位K；：蒸发器热容，单位JK； 当激活流体力学模式时，按以下步骤进行： 步骤S4321：基于纳维-斯托克斯方程修正粘滞阻力： ：散度运算符；：梯度运算符；：铯蒸气粘度，单位Pa·s；：蒸气流速矢量，单位ms；：粘滞压降，单位Pa；：传输距离，单位m； 步骤S4322：计算束流密度修正因子： ：修正后束流密度，单位：自然指数函数；：粘滞压降，单位Pa；：铯原子质量，单位kg；：玻尔兹曼常数；：蒸发区温度，单位K； 步骤S4323：反馈调节蒸发区功率： ；：比例增益；：设定束流密度；：积分增益；：积分运算符，累积误差；：积分时间变量； S433，全局约束： 束流密度波动率满足；：相对波动率，无量纲； 沉积速率范围满足；：沉积速率，单位nms。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人沈阳诺思真空技术有限公司，其通讯地址为：113122 辽宁省沈阳市沈抚示范区太平洋工业城规1区28A号地块；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。