荣芯半导体(宁波)有限公司王麒铭获国家专利权
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龙图腾网获悉荣芯半导体(宁波)有限公司申请的专利沟槽的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120709143B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511204542.5，技术领域涉及：H01L21/306；该发明授权沟槽的制作方法是由王麒铭;赵学法;李明设计研发完成，并于2025-08-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本沟槽的制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种沟槽的制作方法，包括：提供衬底，在衬底上依次形成氧化层与氮化钛层；对不同区域的氮化钛层进行不同程度的氧化，使得不同厚度的氮化钛层氧化形成氧化钛层，且被氧化的氮化钛层的厚度大于等于零，小于等于氮化钛层的厚度；依次对各个区域的氧化钛层、或和氮化钛层及其下方的氧化层与衬底进行刻蚀形成不同深度的沟槽。本发明通过对不同区域的所述氮化钛层进行不同程度的氧化，使得不同厚度的所述氮化钛层氧化形成氧化钛层，即各个区域形成的氧化钛层的厚度不同，氮化钛层与氧化钛层的刻蚀速率不同，氧化钛层越厚刻蚀的越慢，形成的沟槽的深度就越浅，由此能够在同一刻蚀步骤中形成不同深度的沟槽。
本发明授权沟槽的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种沟槽的制作方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供衬底，在所述衬底上依次形成氧化层与氮化钛层； 对不同区域的所述氮化钛层进行不同程度的氧化，使得不同厚度的所述氮化钛层氧化形成氧化钛层，且被氧化的所述氮化钛层的厚度大于等于零，小于等于所述氮化钛层的厚度，各个区域不同厚度的所述氮化钛层被氧化，形成的所述氧化钛的厚度不同；以及 依次对各个区域的所述氧化钛层、或和所述氮化钛层及其下方的所述氧化层与所述衬底进行刻蚀形成不同深度的沟槽。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人荣芯半导体(宁波)有限公司，其通讯地址为：315809 浙江省宁波市北仑区柴桥街道金水桥路28号4幢1号1层-1；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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