买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉浙江大学;浙江创芯集成电路有限公司申请的专利一种半导体器件刻蚀结构预测方法及设备、储存介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120724875B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511234364.0，技术领域涉及：G06F30/27；该发明授权一种半导体器件刻蚀结构预测方法及设备、储存介质是由郭建明;任堃;倪东;高大为设计研发完成，并于2025-09-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件刻蚀结构预测方法及设备、储存介质在说明书摘要公布了：本发明公开一种半导体器件刻蚀结构预测方法及设备、储存介质。本发明获取待刻蚀半导体结构在不同刻蚀工艺条件下的三维刻蚀演化仿真数据；从三维刻蚀演化仿真数据中提取二维截面图像；基于上述二维截面图像生成在高时间分辨率下的刻蚀形貌演化序列；由在高时间分辨率下的刻蚀形貌演化序列，得到半导体结构的刻蚀后目标轮廓图像。构建基于深度学习的轮廓预测模型，利用数据集对其进行训练；基于深度学习的轮廓预测模型的输入包括刻蚀工艺条件、以及半导体结构的刻蚀前初始轮廓图像，输出为随刻蚀时间演化的刻蚀后预测轮廓图像。本发明将物理建模与数据驱动方法相结合，实现了刻蚀过程的高精度预测和智能优化控制，提高了工艺稳定性和产品良率。

本发明授权一种半导体器件刻蚀结构预测方法及设备、储存介质在权利要求书中公布了：1.一种半导体刻蚀工艺预测方法，其特征在于，所述方法包括： 获取待刻蚀半导体结构在不同刻蚀工艺条件下的三维刻蚀演化仿真数据；所述三维刻蚀演化仿真数据包括刻蚀过程中不同刻蚀时间点的半导体结构三维轮廓图像； 从三维刻蚀演化仿真数据中提取二维截面图像；所述二维截面图像包括多个纵向截面图像、多个横向截面图像；基于上述二维截面图像生成在高时间分辨率下的刻蚀形貌演化序列；由在高时间分辨率下的刻蚀形貌演化序列，得到半导体结构的刻蚀后目标轮廓图像； 由半导体结构的刻蚀前初始轮廓图像和对应的刻蚀后目标轮廓图像构成数据集； 构建基于深度学习的轮廓预测模型，利用数据集对其进行训练；其中，所述基于深度学习的轮廓预测模型的输入包括刻蚀工艺条件、以及半导体结构的刻蚀前初始轮廓图像，输出为随刻蚀时间演化的刻蚀后预测轮廓图像； 将刻蚀工艺条件、以及半导体结构的刻蚀前初始轮廓图像输入至训练好的基于深度学习的轮廓预测模型，获得半导体结构的刻蚀后预测轮廓图像。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人浙江大学;浙江创芯集成电路有限公司，其通讯地址为：310000 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。