长鑫芯瑞存储技术(北京)有限公司刘明源获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫芯瑞存储技术(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120730733B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511150144.X，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制作方法是由刘明源;元琳;孙政设计研发完成，并于2025-08-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制作方法在说明书摘要公布了：公开了一种半导体结构及其制作方法。用于解决如何改善横向刻蚀形成的多个间隙的均一性差的技术问题。该制作方法包括：在衬底上形成包括交替堆叠的多个牺牲层和多个半导体层的叠层结构；多个牺牲层包括多个第一牺牲层和多个第二牺牲层，任意一个第二牺牲层和衬底之间的距离大于任意一个第一牺牲层和衬底之间的距离；任意一个第二牺牲层在垂直方向上的厚度大于任意一个第一牺牲层在垂直方向上的厚度；形成沿第一水平方向延伸并贯穿叠层结构的沟槽；通过沟槽横向刻蚀每个牺牲层，以在相邻两个半导体层之间形成间隙；任意两个间隙在第二水平方向上的宽度相同。如此，可以实现上、下叠层中牺牲层的精准侧掏，进而改善形成的各个间隙的宽度均一性。
本发明授权半导体结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括： 提供衬底； 在所述衬底上形成叠层结构，所述叠层结构包括交替堆叠的多个牺牲层和多个半导体层；其中，所述多个牺牲层包括多个第一牺牲层和多个第二牺牲层，任意一个所述第二牺牲层和所述衬底之间的距离大于任意一个所述第一牺牲层和所述衬底之间的距离；任意一个所述第二牺牲层在垂直方向上的厚度大于任意一个所述第一牺牲层在所述垂直方向上的厚度，所述垂直方向垂直于所述衬底的主表面； 形成沿第一水平方向延伸并贯穿所述叠层结构的沟槽，所述第一水平方向平行于所述衬底的所述主表面； 通过所述沟槽横向刻蚀每个所述牺牲层，以在相邻两个所述半导体层之间形成间隙；其中，任意两个所述间隙在第二水平方向上的宽度相同，所述第二水平方向平行于所述衬底的所述主表面且垂直于所述第一水平方向。
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