江苏能华微电子科技发展有限公司武乐可获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉江苏能华微电子科技发展有限公司申请的专利一种高动态稳定性高耐压GaN功率器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120730771B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511196525.1，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种高动态稳定性高耐压GaN功率器件及其制备方法是由武乐可;夏远洋;李亦衡;朱廷刚设计研发完成，并于2025-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高动态稳定性高耐压GaN功率器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于功率电子器件技术领域，具体涉及一种高动态稳定性高耐压GaN功率器件及其制备方法。本发明提供的高动态稳定性高耐压GaN功率器件，在硅衬底上增设阻挡层，由于阻挡层的材料为绝缘材料，衬底中的电子不能穿过阻挡层，因此阻止了衬底电子被缓冲层陷阱俘获，减弱了动态电阻问题；同时，由于阻挡层的存在，从漏极到硅衬底的垂直路径的抗压能力得到了提升，进而导致器件的耐压会更高。
本发明授权一种高动态稳定性高耐压GaN功率器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高动态稳定性高耐压GaN功率器件，其特征在于，包括衬底，设置在所述衬底上表面的阻挡层，设置在所述阻挡层上表面的GaN缓冲层，设置在所述GaN缓冲层上表面的GaN沟道层，设置在所述GaN沟道层上表面的AlxGa1-xN势垒层，设置在所述AlxGa1-xN势垒层上表面的栅电极以及环绕所述栅电极的钝化层，设置在所述GaN沟道层和AlxGa1-xN势垒层的两端、且与GaN沟道层和AlxGa1-xN势垒层欧姆接触的源电极和漏电极； 所述阻挡层的材料包括Al2O3或AlN； 所述AlxGa1-xN势垒层中x的取值范围为0.25。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人江苏能华微电子科技发展有限公司，其通讯地址为：215600 江苏省苏州市张家港市杨舍镇福新路2号B12幢；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励