华侨大学潘书万获国家专利权
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龙图腾网获悉华侨大学申请的专利基于改进DETR模型的Mini-LED晶圆表面缺陷检测方法及装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120747037B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202511149664.9,技术领域涉及:G06T7/00;该发明授权基于改进DETR模型的Mini-LED晶圆表面缺陷检测方法及装置是由潘书万;林远达;叶钦;陈海坤;陈木生设计研发完成,并于2025-08-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于改进DETR模型的Mini-LED晶圆表面缺陷检测方法及装置在说明书摘要公布了:本发明公开了一种基于改进DETR模型的Mini‑LED晶圆表面缺陷检测方法及装置,涉及图像处理领域,包括:获取待检测的晶圆图像并输入到经训练的Mini‑LED晶圆表面缺陷检测模型中,先经过小波卷积残差网络,得到第一特征图、第二特征图和第三特征图,第三特征图经过第一卷积层进行通道维度变换后输入到空间‑通道卷积尺度特征交互模块进行特征增强,得到增强特征图;结合第二特征图和第三特征图通过上采样层、内容引导动态洗牌融合模块和下采样层进行双向特征融合,得到第八特征图、第十特征图和第十二特征图并经过第一拼接层在通道维度进行拼接,得到拼接特征并输入到RT‑DETR检测头中,得到晶圆图像中的每个缺陷对应的类别。本发明解决检测精度不足、收敛速度慢等问题。
本发明授权基于改进DETR模型的Mini-LED晶圆表面缺陷检测方法及装置在权利要求书中公布了:1.一种基于改进DETR模型的Mini-LED晶圆表面缺陷检测方法,其特征在于,包括以下步骤: 构建基于改进DETR模型的Mini-LED晶圆表面缺陷检测模型并训练,得到经训练的Mini-LED晶圆表面缺陷检测模型;所述Mini-LED晶圆表面缺陷检测模型包括小波卷积残差网络、第一卷积层、空间-通道卷积尺度特征交互模块、第二卷积层、上采样层、内容引导动态洗牌融合模块、下采样层、第一拼接层和RT-DETR检测头; 获取待检测的晶圆图像并输入到所述经训练的Mini-LED晶圆表面缺陷检测模型中,先经过所述小波卷积残差网络,得到不同尺度的第一特征图、第二特征图和第三特征图;所述第三特征图经过所述第一卷积层进行通道维度变换后输入到所述空间-通道卷积尺度特征交互模块进行特征增强,得到增强特征图,所述增强特征图经过所述第二卷积层进行通道维度变换,得到第四特征图;所述第四特征图、第一特征图和第三特征图通过上采样层、内容引导动态洗牌融合模块和下采样层进行双向特征融合,得到第八特征图、第十特征图和第十二特征图,所述第八特征图、第十特征图和第十二特征图经过所述第一拼接层在通道维度进行拼接,得到拼接特征,所述拼接特征输入到所述RT-DETR检测头中,得到所述晶圆图像中的每个缺陷对应的类别。
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