买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉珠海格力电子元器件有限公司申请的专利半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120751731B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511258186.5，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权半导体器件及其制备方法是由刘浩文;马万里;闫正坤设计研发完成，并于2025-09-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种半导体器件及其制备方法，器件包括基底，具有第一表面，基底具有第一掺杂类型；多个源区结构，间隔的位于基底中，源区结构的第二表面位于第一表面中；栅极结构，位于第一表面上并覆盖多个源区结构的部分表面；抗静电结构，位于栅极结构背离基底的一侧，在基底指向栅极结构方向上，抗静电结构包括多个交错层叠的第一掺杂层和第二掺杂层，第一掺杂层具有第二掺杂类型，第二掺杂层具有第一掺杂类型。通过抗静电结构使静电电流得到释放，可以保护栅极结构的栅极氧化层，确保了栅极氧化层在高静电电压下不被击穿，提升了沟槽栅结构的抗静电能力，进而解决了相关技术中半导体器件的栅极抗静电击穿能力低的问题。

本发明授权半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 基底，具有第一表面，所述基底具有第一掺杂类型； 多个源区结构，间隔的位于所述基底中，所述源区结构的第二表面位于所述第一表面中； 栅极结构，位于所述第一表面上并覆盖多个所述源区结构的部分表面； 抗静电结构，位于所述栅极结构背离所述基底的一侧，在所述基底指向所述栅极结构方向上，所述抗静电结构包括多个交错层叠的第一掺杂层和第二掺杂层，所述第一掺杂层具有第二掺杂类型，所述第二掺杂层具有所述第一掺杂类型，所述抗静电结构还包括第三掺杂层，所述第三掺杂层位于所述抗静电结构沿所述基底指向所述栅极结构的方向上的最外侧，所述第三掺杂层具有所述第一掺杂类型，所述第三掺杂层与所述第二掺杂层的掺杂浓度不同，所述第三掺杂层包括第一子掺杂层和第二子掺杂层，其中，所述第二子掺杂层位于所述抗静电结构沿所述基底指向所述栅极结构的方向上的最外侧，所述第一子掺杂层位于所述第二子掺杂层靠近所述基底的一侧，所述第二子掺杂层的掺杂浓度高于所述第一子掺杂层的掺杂浓度，所述第一子掺杂层的掺杂浓度低于所述第二掺杂层的掺杂浓度，所述第一子掺杂层与所述第二掺杂层接触。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人珠海格力电子元器件有限公司，其通讯地址为：519085 广东省珠海市高新区唐家湾镇金唐路1号港湾1号科创园24栋C区1层428室(集中办公区)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。