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龙图腾网获悉杭州拓尔微电子有限公司申请的专利一种MEMS压力传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120760920B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511278074.6，技术领域涉及：G01L7/08；该发明授权一种MEMS压力传感器是由陆鹏飞;王卫利;俞爱娣设计研发完成，并于2025-09-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种MEMS压力传感器在说明书摘要公布了：本发明涉及微电子机械系统传感器技术领域，具体为一种MEMS压力传感器，包括壳体、感应膜片和ASIC信号处理单元，壳体内设有感应安装腔与信号处理腔，壳体的下端面上开设有进气口，壳体内开设有检测通道与缓冲腔，缓冲腔从下往上呈渐扩式设计；脉冲气流首先经进气口进入检测通道，避免气流直接无序冲击；随后气流进入缓冲腔，利用腔体横截面积逐渐增大的特性，逐步降低气流速度和压力峰值，分散脉冲能量，将原本集中的强烈冲击力转化为平缓的压力传递，从而降低感应膜片因频繁承受剧烈压力而产生的磨损与损伤风险，有助于维持感应膜片的结构稳定性与感应灵敏度，保障MEMS压力传感器对压力检测的准确性和长期工作的可靠性。

本发明授权一种MEMS压力传感器在权利要求书中公布了：1.一种MEMS压力传感器，其特征在于，包括壳体1、感应膜片2和ASIC信号处理单元3，所述壳体1内设有感应安装腔101与信号处理腔102，所述感应安装腔101位于信号处理腔102下侧，所述感应膜片2与ASIC信号处理单元3分别安装在感应安装腔101和信号处理腔102内，所述壳体1的下端面上开设有进气口103，所述壳体1内开设有检测通道4与缓冲腔5，所述检测通道4的上下两端分别与缓冲腔5和进气口103连通，所述缓冲腔5上端与感应安装腔101连通，且所述缓冲腔5从下往上呈渐扩式设计；所述缓冲腔5的下端内壁上圆周均布有多个导流叶片501，多个所述导流叶片501呈弧形薄板结构，多个所述导流叶片501的凹面朝向进气口103方向，多个所述导流叶片501的边缘均做圆角处理；所述壳体1内同轴安装有整流网6，所述整流网6呈圆柱形，所述整流网6位于缓冲腔5与感应膜片2之间，所述整流网6的直径大于感应膜片2的直径，所述整流网6上设有多个网孔601，多个所述网孔601为正六边形阵列布置，多个所述网孔601均与壳体1的轴线平行；所述整流网6与缓冲腔5之间设有环形导流腔7，所述环形导流腔7的内径从缓冲腔5向整流网6方向逐渐缩小，收缩角度为5°-8°；所述环形导流腔7的内壁采用机械加工后粗糙度Ra≤0.1μm，且环形导流腔7的长度为缓冲腔5总长度的13-12；所述感应膜片2采用硅基材料制成，所述感应膜片2与感应安装腔101的内壁之间设有阶梯式柔性连接环8，所述连接环8由内层801、中层802和外层803的三层复合结构组成，所述连接环8的内层801、中层802与外层803分别采用镍钛合金、聚酰亚胺和铍铜制成，所述连接环8的内层801与外层803的厚度相等，所述连接环8中层802的厚度为内层801与外层803厚度的12。

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