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龙图腾网获悉深圳市芯存科技有限公司申请的专利一种基于SD NAND的闪存管理方法、装置及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120762601B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511250825.3，技术领域涉及：G06F3/06；该发明授权一种基于SD NAND的闪存管理方法、装置及存储介质是由张波设计研发完成，并于2025-09-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于SD NAND的闪存管理方法、装置及存储介质在说明书摘要公布了：本发明涉及现代数据存储技术领域，公开了一种基于SDNAND的闪存管理方法、装置及存储介质，所述方法包括：获取访问热度分布图，并据此划分高热度分区；对高热度分区进行动态更新，生成更新后高热度分区；基于更新后高热度分区进行缓存分配，得到缓存分配结果；若分配结果的不均衡指标超出预设阈值，则执行低热度区块的擦写均衡迁移，形成闪存区域配置；根据该配置更新热度分布图，并确定访问峰值；实时监测各分区流量数据，结合访问峰值调整分区容量，生成负载均衡的缓存配置方案；对该方案进行评估反馈，输出闪存管理参数集合。所述方法能够实现动态响应访问热度变化。

本发明授权一种基于SD NAND的闪存管理方法、装置及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种基于SDNAND的闪存管理方法，其特征在于，包括： 获取访问热度分布图； 根据所述访问热度分布图，进行高热度分区划分，得到高热度分区； 根据所述高热度分区，进行动态调整与更新，得到更新后高热度分区； 根据所述更新后高热度分区，进行缓存分配，得到缓存分配结果； 若所述缓存分配结果的不均衡指标大于预设均衡阈值，则对所述缓存分配结果，进行低热度区块的擦写均衡迁移，得到闪存区域配置； 基于所述闪存区域配置，对所述访问热度分布图进行更新，得到新热度分布图，并根据所述新热度分布图，进行访问峰值确定，得到访问峰值； 实时监测所述新热度分布图中各分区的流量数据，结合所述访问峰值，对所述新热度分布图，进行高低热度分区的容量调整，生成负载均衡的缓存配置方案； 对所述缓存配置方案，进行评估反馈与参数输出，得到闪存管理参数集合； 其中，所述根据所述高热度分区，进行动态调整与更新，得到更新后高热度分区，包括： 提取所述高热度分区中各数据块的访问频率值、时间分布和业务重要性标签，并进行特征编码与标准化处理，得到数据特征向量； 对所述数据特征向量，进行均值聚类分组，得到数据子集； 对所述数据子集计算数据块数量，若所述数据块数量超过预设数量阈值，则对该数据子集对应的数据块进行迁移与更新，得到更新后高热度分区； 其中，所述基于所述闪存区域配置，对所述访问热度分布图进行更新，得到新热度分布图，并根据所述新热度分布图，进行访问峰值确定，得到访问峰值，包括： 对所述闪存区域配置中各数据块进行热度分数计算，得到初始热度分数列表； 根据所述初始热度分数列表，进行时间序列分析处理，得到预测访问频率值； 基于所述预测访问频率值，对所述访问热度分布图，进行更新，得到新热度分布图； 根据所述新热度分布图，进行峰值识别计算，得到访问峰值； 其中，系统将参与分配的全部数据块缓存容量值提取为一组缓存容量集合，记作，其中，为第个数据块实际获得的缓存容量，为数据块数量，计算不均衡指标公式为： ； 其中，为不均衡指标，为平均缓存容量。

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