池州学院赵常保获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉池州学院申请的专利一种Au/MoN模型催化剂及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120790205B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511285546.0，技术领域涉及：B01J27/24；该发明授权一种Au/MoN模型催化剂及其制备方法是由赵常保;刘聪辉;贾景惠;卢金晶;夏晨淇设计研发完成，并于2025-09-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种Au/MoN模型催化剂及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于催化剂技术领域，具体涉及一种AuMoN模型催化剂及其制备方法。本发明成功制备了AuMoN模型催化剂，实现了金属与氮化物界面的构建。SEM、EDX‑mapping、AFM等表征证实了Au可以在MoN载体上实现高度分散，原位Ar+刻蚀XPS表征证实了Au与MoN载体之间是相分离的状态，主要偏析在MoN的表面，从而与MoN形成界面。原位XPS证明Au和MoN界面处存在电荷转移过程使得Au呈正价，通过氮化‑氧化的交替处理可以控制Au结构的分散‑聚集状态。这些发现对于理解氮化物负载金属催化剂的SMSI效应具有重要意义，并为开发具有高催化性能的廉价催化剂奠定了基础。
本发明授权一种Au/MoN模型催化剂及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种AuMoN模型催化剂的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： S1、将Na2MoO4和HAuCl4·3H2O溶解形成混合溶液，作为前驱体； S2、将步骤S1所述前驱体涂覆于氧化铝单晶基底表面； S3、将涂覆有前驱体的氧化铝单晶基底置于管式炉中，以高纯Ar为载气，控制载气流速为100sccm，阶梯式升温至生长温度； S4、当温度达到生长温度后，通入NH3作为氮源，控制NH3流速为10sccm，在常压条件下进行化学气相沉积反应，反应时间为2h； S5、反应结束后，在Ar气氛中降温至室温，得到超薄外延的AuMoN模型催化剂。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人池州学院，其通讯地址为：247100 安徽省池州市贵池区教育园区牧之路199号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励