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龙图腾网获悉江苏迪纳科精细材料股份有限公司申请的专利一种IGZO陶瓷靶材及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120794574B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511308308.7，技术领域涉及：C04B35/01；该发明授权一种IGZO陶瓷靶材及其制备方法是由孔伟华;刘洪强;高延红设计研发完成，并于2025-09-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种IGZO陶瓷靶材及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种IGZO陶瓷靶材及其制备方法。方法包括：通过三乙醇胺螯合剂对镨氧化物和铈氧化物粉末进行化学改性，形成PrCe双稀土络合物；将铟氧化物、镓氧化物、锌氧化物及改性稀土粉末按In:Ga:Zn:Pr:Ce原子比40‑60:20‑40:5‑15:0.1‑2.5:0.1‑2.5混合，添加石墨烯纳米片；通过球磨和超声分散实现纳米级均匀化；在惰性氛围下热压烧结，并退火调控氧分压。所得靶材致密度高、电阻率低、载流子浓度和迁移率优异，适用于高性能薄膜晶体管。

本发明授权一种IGZO陶瓷靶材及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种IGZO陶瓷靶材的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：步骤S1.对镨氧化物和铈氧化物粉末进行化学改性，通过螯合剂与镨离子和铈离子的配位作用形成金属-有机络合物，通过离心分离和真空干燥获得改性稀土粉末，其中，Pr4+和Ce4+各自占比总镨离子和总铈离子的10wt%至20wt%；步骤S2.将铟氧化物、镓氧化物、锌氧化物和所述改性稀土粉末按预设比例混合，形成前驱体混合物，其中所述预设比例为In:Ga:Zn:Pr:Ce原子比为40-60:20-40:5-15:0.1-2.5:0.1-2.5，所述铟氧化物、镓氧化物、锌氧化物、镨氧化物和铈氧化物粉末的纯度≥99.99%；步骤S3.通过球磨和超声分散对所述前驱体混合物进行纳米级均匀化；步骤S4.在惰性氛围下对所述前驱体混合物进行热压烧结，温度控制在800℃至1200℃，压力为20MPa至50MPa，并进行后续退火处理调控氧分压，得到所述IGZO陶瓷靶材； 所述化学改性的步骤包括：在含0.05molL至0.2molL三乙醇胺的螯合剂溶液中，以质量比1:1至2:1分步加入镨氧化物和铈氧化物粉末，先在40℃至60℃下反应1小时至2小时形成镨-有机络合物，再升温至60℃至80℃反应1小时至2小时引入铈离子形成双稀土络合物；同时加入质量分数0.1wt%至0.5wt%的聚乙二醇表面活性剂，采用低频超声波，频率15kHz至25kHz，功率100W至300W。

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