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龙图腾网获悉深圳市星汉激光科技股份有限公司申请的专利半导体结构及制备方法、半导体激光器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120810376B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511294329.8，技术领域涉及：H01S5/028；该发明授权半导体结构及制备方法、半导体激光器是由周少丰;丁亮;吕天健;罗军波设计研发完成，并于2025-09-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及制备方法、半导体激光器在说明书摘要公布了：本申请提供半导体结构及制备方法、半导体激光器，涉及激光器的领域。半导体结构包括衬底、第一出光结构和第二出光结构；第一出光结构和第二出光结构设置于衬底的同一侧，第一出光结构的至少部分与第二出光结构的至少部分同层同材料设置；第一出光结构的出光方向，与第二出光结构的出光方向形成有夹角。本申请能够减小半导体结构的体积，提高半导体结构的集成性。

本发明授权半导体结构及制备方法、半导体激光器在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括衬底、第一出光结构和第二出光结构； 所述第一出光结构和所述第二出光结构设置于所述衬底的同一侧； 所述第一出光结构的至少部分与所述第二出光结构的至少部分同层同材料设置；所述第一出光结构的出光方向，与所述第二出光结构的出光方向形成有夹角； 所述半导体结构还包括共用电极； 所述共用电极设置于所述衬底远离所述第一出光结构和所述第二出光结构的一侧；所述共用电极连接所述第一出光结构，所述共用电极连接所述第二出光结构； 所述第一出光结构包括第一谐振腔和第一电极；所述第二出光结构包括第二谐振腔和第二电极； 所述第一谐振腔和所述第二谐振腔间隔设置于所述衬底，所述第一谐振腔和所述第二谐振腔同层同材料设置； 所述第一电极设置于所述第一谐振腔，所述第一电极与所述共用电极配合使用；所述第二电极设置于所述第二谐振腔，所述第二电极与所述共用电极配合使用； 所述第一谐振腔包括依次层叠设置的第一反射镜、第一增益层和第二反射镜；所述第一电极设置于所述第一增益层和所述第一反射镜之间； 所述第二谐振腔包括第二增益层，所述第二电极设置于所述第二增益层远离所述衬底的一侧； 所述第二出光结构包括沿第一方向排列设置的第三反射镜和第四反射镜，所述第三反射镜位于远离所述第二谐振腔的一侧，所述第四反射镜位于靠近所述第二谐振腔的一侧。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳市星汉激光科技股份有限公司，其通讯地址为：518103 广东省深圳市宝安区福海街道新和社区蚝业路39号旭竟昌工业园厂房B4栋5层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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