长鑫芯瑞存储技术(北京)有限公司李晓杰获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫芯瑞存储技术(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120812937B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511240346.3，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其形成方法、电子设备是由李晓杰;杜宜格设计研发完成，并于2025-09-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法、电子设备在说明书摘要公布了：本公开实施例提供一种半导体结构及其形成方法、电子设备；其中，半导体结构的形成方法包括：提供衬底；衬底包括沿第一方向排列的多个存储区域；在存储区域的表面形成堆叠结构；堆叠结构包括沿第二方向和第三方向阵列排布、且沿第一方向延伸的多个晶体管；沿第三方向自上而下至少一层晶体管均作为选择晶体管；刻蚀堆叠结构，形成沿第二方向延伸的第一刻蚀沟槽；第一刻蚀沟槽暴露出堆叠结构中所有的选择晶体管的源极；在第一刻蚀沟槽中形成第一隔离结构，以及位于第一隔离结构中沿第二方向排列的多个选择器；每一选择器与沿第三方向排列的选择晶体管的源极连接、且未贯穿第一隔离结构。
本发明授权半导体结构及其形成方法、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，所述方法包括： 提供衬底；所述衬底包括沿第一方向排列的多个存储区域； 在所述存储区域的表面形成堆叠结构；所述堆叠结构包括沿第二方向和第三方向阵列排布、且沿所述第一方向延伸的多个晶体管；沿所述第三方向自上而下至少一层所述晶体管均作为选择晶体管； 刻蚀所述堆叠结构，形成沿所述第二方向延伸的第一刻蚀沟槽；所述第一刻蚀沟槽暴露出所述堆叠结构中所有的所述选择晶体管的源极； 在所述第一刻蚀沟槽中形成第一隔离结构，以及位于所述第一隔离结构中沿所述第二方向排列的多个选择器；每一所述选择器与沿所述第三方向排列的所述选择晶体管的源极连接、且未贯穿所述第一隔离结构； 其中，所述第一方向与所述第二方向相交、且平行于所述衬底所在平面，所述第三方向与所述衬底所在的平面相交。
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