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龙图腾网获悉苏州第四制药厂有限公司申请的专利一种含乙酰呋喃结构的中间体及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120817918B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511316786.2，技术领域涉及：C07D307/66；该发明授权一种含乙酰呋喃结构的中间体及其制备方法是由许红磊;刘俊银设计研发完成，并于2025-09-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种含乙酰呋喃结构的中间体及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于药物试剂领域，提供了一种含乙酰呋喃结构的中间体制备方法。本发明采用了以N‑乙酰‑D‑氨基葡萄糖为原料，使用具有纳米级片状褶皱结构的La2O3催化剂进行催化脱水反应，结合分段温度控制和多步级联重结晶工艺的设计，实现了目标产物N‑3‑呋喃基‑乙酰胺和N‑5‑乙酰基‑3‑呋喃基‑乙酰胺合计纯度达97.5‑99.5%，产物呈针状晶体形态的高质量性能，解决了现有含乙酰呋喃结构中间体催化活性低和产物纯度低的问题，催化剂可重复使用4‑6次且活性保持率≥90%，该中间体可用于制备抗肿瘤药物、抗生素等生物活性分子的关键中间体，具有广泛的应用价值。

本发明授权一种含乙酰呋喃结构的中间体及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种含乙酰呋喃结构的中间体制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1.将N-乙酰-D-氨基葡萄糖与溶剂混合形成反应体系，通过分子筛预处理和氮气保护确保反应体系中水含量≤0.05wt%； S2.加入催化剂进行催化脱水反应，反应在惰性气氛下进行，采用分段温度控制策略优化反应选择性； S3.反应完成后采用多步级联重结晶工艺得到含乙酰呋喃结构的中间体； 所述中间体为N-3-呋喃基-乙酰胺和N-5-乙酰基-3-呋喃基-乙酰胺，产物中N-3-呋喃基-乙酰胺的质量分数为72-76%，N-5-乙酰基-3-呋喃基-乙酰胺的质量分数为21-25%；总纯度为97.8-99.5%；两种目标产物合计纯度为97.0-99.0%；产物呈针状晶体形态，平均长度为250-800μm，宽度为10.0-45.5μm； 所述的N-3-呋喃基-乙酰胺的结构式为： 所述的N-5-乙酰基-3-呋喃基-乙酰胺的结构式为： 所述催化剂的形貌为亚微米级颗粒以及分布在其表面纳米级活性层，所述纳米级活性层表面含有片状纳米褶皱结构，所述催化剂的比表面积为50-200m²g，表面碱性位点密度为0.8-1.5mmolg；所述的催化剂的平均尺度为350-800nm； 所述催化剂的制备通过溶胶-凝胶结合水热分步组装法制备，包括将硝酸镧、柠檬酸及结构导向剂十六烷基三甲基溴化铵按摩尔比1:2.0-2.5:0.3-0.8混合制备前驱体、水热处理和程序化煅烧三个步骤； 所述催化剂通过溶胶-凝胶结合水热分步组装法制： A1.将硝酸镧与柠檬酸混合，同时加入结构导向剂十六烷基三甲基溴化铵，三者的摩尔比为硝酸镧:柠檬酸:导向剂=1:2.0-2.5:0.3-0.8，加入去离子水至固含量为15-25wt%形成前驱体溶液，在60-80°C下搅拌2-4小时确保完全溶解； A2.于80-120℃磁力搅拌器下搅拌蒸发至凝胶状，搅拌速率控制在200-300rpm，蒸发时间4-8小时，然后在180-220℃高压反应釜中进行水热处理12-24小时； A3.于马弗炉中在400-600℃下空气气氛煅烧2-6小时，升温速率为2-5℃min，确保晶相完全形成和片状褶皱结构的发育； 所述A3步骤的煅烧程序包括： A31.有机物预分解阶段：室温以1-2°Cmin升温至200°C，在氮气气氛中保温1-1.5小时，防止有机模板剂急剧分解造成结构坍塌； A32.以2-5℃min升温至350-450℃，切换至空气气氛保温2-3小时，完成有机模板剂分解和初步晶化； A33.继续升温至500-600℃并保温2-6小时，促进晶相完全形成和片状褶皱结构的发育； 所述S3步骤包括以下多步级联重结晶过程： B1.将反应产物用乙酸乙酯和水按体积比1:1萃取分离，水相用饱和NaCl溶液反萃取2-4次至有机相无色透明，萃取过程中温度控制在25-35°C，每次萃取时间15-30分钟； B2.将有机相于35-45℃减压浓缩至原体积的13-12，缓慢加入正己烷至溶液浊度值达到100-200NTU时进行预富集重结晶，析出初步纯化的粗产物； B3.采用体积比为3:1-1:1的乙酸乙酯异丙醇混合溶剂进行温度梯度重结晶，通过精确控制降温速率获得高质量晶体； B4.最终用正己烷乙酸乙酯混合溶剂按体积比1:1-2:1精制重结晶，温度控制在5-25℃，时间12-48小时，得到高纯度晶体产物，目标产物纯度达到97-99.5%； 所述B3步骤中的温度梯度重结晶采用程序化降温： 第一阶段35-30℃，降温速率1.0-1.5℃h，主要完成溶解度调节和初始成核； 第二阶段30-20℃，降温速率0.8-1.2℃h，控制晶核生长速率； 第三阶段20-10℃，降温速率0.5-0.8℃h，促进晶体结构完善； 第四阶段10-5℃，降温速率0.2-0.5℃h，确保晶体质量和收率，全程采用恒定搅拌速率80-120rpm。

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