芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司鲁明杰获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司申请的专利半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120824258B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511326619.6，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体结构及其制造方法是由鲁明杰;傅劲松;袁家贵;王珏设计研发完成，并于2025-09-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体结构及其制造方法，在具有台阶的基底上依次形成具有不同刻蚀选择比的第一介质层和第二介质层，并于台阶高处和台阶低处分次曝光，在分次曝光时，利用第二介质层和第一介质层的刻蚀选择比差异，分区域分次进行接触孔图形的转移，如此，光刻胶厚度不受台阶高度限制，接触孔线宽可以做到0.15μm及以下。
本发明授权半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底具有第一表面和第二表面，所述第二表面和所述第一表面高度不同而使得两者之间具有台阶； 依次形成第一介质层和第二介质层，所述第一介质层覆盖所述第一表面和所述第二表面，所述第二介质层覆盖所述第一介质层，所述第二介质层与所述第一介质层具有不同的刻蚀选择比； 在所述第一表面上方的所述第二介质层上形成图形化的第一光刻胶层，以图形化的所述第一光刻胶层为掩膜刻蚀所述第二介质层，以将第一图形转移至所述第一表面上方的所述第二介质层，并去除位于所述第二表面上方的所述第二介质层，得到图形化的所述第二介质层； 在所述第二表面形成图形化的第二光刻胶层，以图形化的所述第二光刻胶层及图形化的所述第二介质层为掩膜刻蚀所述第一介质层，以将第二图形及所述第一图形分别转移至所述第二表面上方的所述第一介质层及所述第一表面上方的所述第一介质层，得到图形化的所述第一介质层；以及， 以图形化的所述第一介质层为掩膜刻蚀所述基底，以于所述基底内形成接触孔。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司，其通讯地址为：312000 浙江省绍兴市越城区皋埠街道临江路508号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励