合肥晶合集成电路股份有限公司孙浩然获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体器件的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120826003B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511332055.7，技术领域涉及：H10D64/01；该发明授权半导体器件的制备方法是由孙浩然;林智伟设计研发完成，并于2025-09-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体器件的制备方法，包括：提供衬底，衬底包括高压区、源漏区和隔离区；形成氮化硅层覆盖衬底，并刻蚀去除隔离区上至少部分厚度的氮化硅层；刻蚀去除高压区上部分厚度的氮化硅层，刻蚀后高压区上的氮化硅层和源漏区上的氮化硅层具有高度差；以氮化硅层为掩模刻蚀衬底，以在隔离区中形成隔离沟槽，并且高压区上的氮化硅层被同步刻蚀去除，刻蚀后高压区和源漏区具有高度差，且高压区的顶部边缘呈弧形；形成第一氧化层填充隔离沟槽且覆盖高压区，且第一氧化层的表面平坦，高压区上的第一氧化层作为栅极氧化层。本发明能够解决高压区边缘的翘脚问题，且不会额外增加制备成本。
本发明授权半导体器件的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底包括高压区、源漏区和隔离区； 形成氮化硅层覆盖所述衬底，并刻蚀去除所述隔离区上至少部分厚度的氮化硅层； 刻蚀去除所述高压区上部分厚度的氮化硅层，刻蚀后所述高压区上的氮化硅层和所述源漏区上的氮化硅层具有高度差； 以所述氮化硅层为掩模刻蚀所述衬底，以在所述隔离区中形成隔离沟槽，并且所述高压区上的氮化硅层被同步刻蚀去除，刻蚀后所述高压区和所述源漏区具有高度差，且所述高压区的顶部边缘呈弧形； 形成第一氧化层填充所述隔离沟槽且覆盖所述高压区，且所述第一氧化层的表面平坦，所述高压区上的第一氧化层作为栅极氧化层。
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