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龙图腾网获悉上海邦芯半导体科技有限公司申请的专利一种倾斜闪耀光栅结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120871316B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511403698.6，技术领域涉及：G02B5/18；该发明授权一种倾斜闪耀光栅结构及其制造方法是由王士京;李俭;张名瑜;胥沛雯;吴倩;朱佳乐;何德钦设计研发完成，并于2025-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种倾斜闪耀光栅结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种倾斜闪耀光栅结构及其制造方法，包括在碳化硅衬底表面上形成第一掩模图形，在第一掩模图形侧面上形成第一氧化层和第一侧墙层，对碳化硅衬底进行第一刻蚀，形成第一沟槽并填充保护层及平坦化，在碳化硅衬底上形成直角三角形第三掩模图形，在第三掩模图形侧面上形成第二氧化层和第二侧墙层，对碳化硅衬底进行第二刻蚀，至第二氧化层被完全刻蚀消耗时，重复执行形成第二氧化层和第二侧墙层及进行第二刻蚀，至第三掩模图形被完全刻蚀消耗，在第一沟槽顶部形成一侧具有倾斜侧壁的第二沟槽并去除保护层。本申请能降低工艺难度，得到侧壁光滑的倾斜闪耀光栅结构，适用于增强光学性能，提高衍射效率及长期稳定性。

本发明授权一种倾斜闪耀光栅结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种倾斜闪耀光栅结构的制造方法，其特征在于，依次包括： 提供碳化硅衬底； 在所述碳化硅衬底的表面上形成多个第一掩模图形； 在所述第一掩模图形的侧面上依次形成第一氧化层和第一侧墙层，以形成第二掩模图形； 通过所述第二掩模图形，对所述碳化硅衬底的露出表面进行第一刻蚀，在所述碳化硅衬底中形成具有垂直侧壁的第一沟槽； 在所述第一沟槽中填充保护层，并通过平坦化，去除所述第二掩模图形，露出所述碳化硅衬底和所述保护层的平坦后表面； 在所述碳化硅衬底的平坦后表面上对应形成多个第三掩模图形，所述第三掩模图形的垂直截面为竖立的直角三角形；所述第三掩模图形的竖直侧面与同侧一个所述第一沟槽的相近侧壁对准或交错，所述第三掩模图形的倾斜侧面与同侧另一个所述第一沟槽的相近侧壁相距大于零的距离，露出该侧的所述碳化硅衬底的平坦后表面； 在所述第三掩模图形的侧面上依次形成第二氧化层和第二侧墙层，以形成第四掩模图形； 通过所述第四掩模图形，对所述碳化硅衬底露出的平坦后表面进行第二刻蚀； 当所述第二氧化层被完全刻蚀消耗时，重复执行形成所述第二氧化层、所述第二侧墙层，和进行所述第二刻蚀的过程，直至所述第三掩模图形被完全刻蚀消耗，并在所述第一沟槽的顶部形成相连且一侧具有倾斜侧壁的第二沟槽，然后去除所述保护层。

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