上海邦芯半导体科技有限公司王士京获国家专利权
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龙图腾网获悉上海邦芯半导体科技有限公司申请的专利一种光学眼镜内部光栅结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120871318B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511403802.1，技术领域涉及：G02B5/18；该发明授权一种光学眼镜内部光栅结构及其制造方法是由王士京;胥沛雯;李俭;张名瑜;朱佳乐;吴倩;何德钦设计研发完成，并于2025-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种光学眼镜内部光栅结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种光学眼镜内部光栅结构及其制造方法，包括在碳化硅衬底上形成三角形截面的多晶硅图形并进行表面氧化，采用等离子体增强原子层沉积工艺，在多晶硅图形表面上形成氧化硅层并回刻形成表面光滑的侧墙结构，对碳化硅衬底进行刻蚀至侧墙结构被刻蚀消耗完，重复执行表面氧化处理、形成侧墙结构和对碳化硅衬底进行刻蚀，直至多晶硅图形被刻蚀消耗完，在碳化硅衬底上形成周期性排列的光栅结构，使侧墙结构的表面光滑形貌通过图形转移传递至光栅结构的三角形的两侧侧壁上。本申请能避免造成碳化硅衬底的热损伤，可在光栅结构制备过程中，实现更大深宽比下的侧壁均匀性处理和原子级的平整度。
本发明授权一种光学眼镜内部光栅结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种光学眼镜内部光栅结构制造方法，其特征在于，依次包括： a提供碳化硅衬底； b在所述碳化硅衬底上形成多个周期性排列的多晶硅图形，所述多晶硅图形的垂直截面为三角形； c采用第一中性粒子，对所述多晶硅图形进行表面氧化处理； d采用等离子体增强原子层沉积工艺，在所述多晶硅图形的表面上形成氧化硅层； e对所述氧化硅层进行回刻，在所述多晶硅图形的三角形的两侧侧面上形成表面光滑的侧墙结构； f以带有所述侧墙结构的所述多晶硅图形为掩膜，对所述碳化硅衬底的露出表面进行刻蚀； g当所述侧墙结构被刻蚀消耗完时，重复执行c至f，直至所述多晶硅图形被刻蚀消耗完，并在所述多晶硅图形下方的所述碳化硅衬底上形成多个周期性排列的光栅结构，使所述光栅结构具有三角形的垂直截面，且使所述侧墙结构的表面光滑形貌通过图形转移传递至所述光栅结构的三角形的两侧侧壁上。
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