上海芯源创新中心郑伟获国家专利权
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龙图腾网获悉上海芯源创新中心申请的专利芯片数字孪生体的构建、电气参数值的预测方法、装置、介质和电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120893327B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511418865.4，技术领域涉及：G06F30/27；该发明授权芯片数字孪生体的构建、电气参数值的预测方法、装置、介质和电子设备是由郑伟;叶劲飞;杜佳乐;孙博;贺喜设计研发完成，并于2025-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本芯片数字孪生体的构建、电气参数值的预测方法、装置、介质和电子设备在说明书摘要公布了：本申请提供一种芯片数字孪生体的构建、电气参数值的预测方法、装置、介质和电子设备，所述方法包括：基于设置有目标芯片的标准设计参数的理想工艺流程进行物理仿真，以得到物理预测模型；再基于实测数据构建残差修正模型；基于所述物理预测模型与所述残差修正模型，得到所述目标芯片的数字孪生体。本申请通过物理仿真构建的物理预测模型提供可解释的物理机理基础，同时基于真实数据训练集构建的残差修正模型精准补偿非线性误差；使机器学习模型仅需聚焦于学习工艺偏差的低量级简单映射，显著降低模型构建复杂度，且提升芯片数字孪生体的预测精度。
本发明授权芯片数字孪生体的构建、电气参数值的预测方法、装置、介质和电子设备在权利要求书中公布了：1.一种芯片数字孪生体的构建方法，其特征在于，包括： 基于设置有目标芯片的标准设计参数的理想工艺流程进行物理仿真，以得到物理预测模型； 采集所述目标芯片的多个样本芯片在制造过程中的工艺参数实际值及电气测量值，形成训练集； 计算所述训练集中各样本芯片的所述工艺参数实际值与预设工艺参数理想值的偏差，生成工艺偏差向量； 将所述工艺偏差向量输入所述物理预测模型，得到电气参数预测值； 基于所述电气参数预测值与所述电气测量值，计算预测残差； 以所述训练集中各样本芯片的工艺偏差向量为输入特征、预测残差为输出标签，生成残差修正模型； 基于所述物理预测模型与所述残差修正模型，得到所述目标芯片的数字孪生体。
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