吉光半导体科技有限公司郑显达获国家专利权
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龙图腾网获悉吉光半导体科技有限公司申请的专利一种半导体激光器芯片获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223612845U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423315661.1，技术领域涉及：H01S5/20；该实用新型一种半导体激光器芯片是由郑显达;汪丽杰;方聪;刘亚楠;佟存柱;彭航宇设计研发完成，并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体激光器芯片在说明书摘要公布了：本实用新型涉及半导体激光器领域技术领域，尤其涉及一种半导体激光器芯片，在纵向方向自下而上包括依次堆叠的衬底、生长缓冲层、下波导层、有源层、上波导层、上包层、盖层；半导体激光器芯片的横向方向若干个宽度不同的电流注入区，和若干个宽度不同的离子注入区；两个两侧的离子注入区之间分布设置若干个电流注入区；离子注入区在纵向方向上穿透盖层和部分上包层；在盖层上形成脊波导结构；通过离子注入对脊波导结构进行处理，形成侧向啁啾电注入调制脊形波导结构；本实用新型所形成的啁啾电注入结构可以从增益与损耗方面调控各阶模式，可使得高阶模式的损耗会大于基模，最终达到减少高阶模式输出，降低发散角、提高远场的光束质量的效果。
本实用新型一种半导体激光器芯片在权利要求书中公布了：1.一种半导体激光器芯片，其特征在于：所述半导体激光器芯片为平面型芯片，所述半导体激光器芯片在纵向方向自下而上包括依次堆叠的衬底、生长缓冲层、下波导层、有源层、上波导层、上包层、盖层； 所述半导体激光器芯片的横向方向包括分布在中心和两侧的若干个宽度不同的电流注入区，分布在中心和两侧的若干个宽度不同的离子注入区；两个两侧的所述离子注入区之间分布设置若干个所述电流注入区；所述离子注入区在纵向方向上，穿透所述盖层和部分所述上包层； 在所述盖层上形成脊波导结构；通过离子注入对所述脊波导结构进行处理，形成侧向啁啾电注入调制脊形波导结构。
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