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龙图腾网获悉苏州能屋电子科技有限公司申请的专利增强型HEMT欧姆接触结构的制作方法及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114023641B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111305214.6，技术领域涉及：H01L21/308；该发明授权增强型HEMT欧姆接触结构的制作方法及其应用是由杜仲凯;张炳良;刘雷设计研发完成，并于2021-11-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本增强型HEMT欧姆接触结构的制作方法及其应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种增强型HEMT欧姆接触结构的制作方法及其应用。在一个实施例中，所述的制作方法包括：在HEMT器件的外延结构上依次设置底层光刻胶、金属层、顶层光刻胶形成三明治结构的复合掩模；将顶层光刻胶选区曝光显影，之后将显影区域下方的金属层刻蚀去除，然后将顶层光刻胶和显影区域下方的底层光刻胶去除，其后刻蚀去除显影区域下方的p‑GaN，使欧姆接触区暴露出，最后在欧姆接触区沉积源、漏金属并形成欧姆接触结构。本发明可以有效兼容通氧自停止刻蚀GaN工艺，精确控制欧姆接触区的GaN刻蚀深度，降低二次刻蚀损伤，无二次光刻偏差影响，可以显著提高增强型HEMT器件的欧姆接触性能，简化工艺，降低成本。

本发明授权增强型HEMT欧姆接触结构的制作方法及其应用在权利要求书中公布了：1.一种增强型HEMT欧姆接触结构的制作方法，其特征在于包括： 提供用于形成增强型HEMT器件的外延结构，所述外延结构包括依次层叠的沟道层、势垒层和P型层； 在所述P型层上依次设置第一掩模层、第二掩膜层和第三掩膜层，其中，对于选定的刻蚀剂，所述第二掩膜层与P型层的刻蚀选择比大于所述第一掩模层和第三掩模层中任一者与P型层的刻蚀选择比，所述第一掩膜层、第三掩膜层的材质为光刻胶，所述第二掩膜层的材质选自金属、金属氧化物、非金属氧化物中的任意一种或多种的组合； 去除所述第三掩模层中对应于欧姆接触区的区域； 以所述第三掩模层的余留区域为掩模，对第二掩膜层进行刻蚀，去除所述第二掩模层中对应于欧姆接触区的区域； 将所述第三掩膜层完全刻蚀去除，并刻蚀除去所述第一掩模层中对应于欧姆接触区的区域； 以所述第一掩模层和第二掩膜层的余留区域为掩模，采用所述选定的刻蚀剂对P型层进行刻蚀，去除所述P型层中对应于欧姆接触区的区域，使所述欧姆接触区暴露； 在所述欧姆接触区制作源极和漏极，并使所述源极、漏极与所述势垒层形成欧姆接触。

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