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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利存储器结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695563B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210468637.8，技术领域涉及：H10D30/68；该发明授权存储器结构及其形成方法是由于涛易;江红设计研发完成，并于2022-04-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本存储器结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种存储器结构及其形成方法，其中存储器结构包括：衬底；位于所述衬底上的字线结构；位于所述字线结构两侧栅极结构，所述栅极结构包括浮栅结构、以及位于所述浮栅结构上的控制栅结构；位于所述控制栅结构的顶部表面的第一金属硅化物层。通过位于所述控制栅结构的顶部表面的第一金属硅化物层，能够有效降低所述控制栅结构的电阻，从而减少导电插塞的数量，使得最终形成的存储器结构的面积减少，提升器件的集成度。

本发明授权存储器结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底； 在所述衬底上形成字线结构、以及位于所述字线结构两侧栅极结构，所述栅极结构包括浮栅结构、以及位于所述浮栅结构上的控制栅结构，所述栅极结构上具有侧墙层； 采用各向异性干法刻蚀工艺并配合光罩刻蚀所述侧墙层，暴露出所述控制栅结构的顶部表面； 在所述控制栅结构的顶部表面形成第一金属硅化物层；其中， 所述字线结构、以及位于所述字线结构两侧栅极结构的形成方法包括：在所述衬底上形成浮栅材料层；在所述浮栅材料层上形成控制栅材料层；在所述控制栅材料层上形成图形化层，所述图形化层内具有暴露出部分所述控制栅材料层的图形化开口；在所述图形化开口的侧壁形成所述侧墙层；以所述图形化层和所述侧墙层为掩膜刻蚀所述控制栅材料层，直至暴露出所述浮栅材料层的顶部表面为止，形成两个初始控制栅结构，两个所述初始控制栅结构之间具有初始第二开口；在所述初始第二开口暴露出的所述初始控制栅结构的侧壁形成第二栅介质层，形成两个所述控制栅结构，且使得所述初始第二开口形成所述第二开口；在形成所述控制栅结构之后，以所述图形化层、侧墙层以及第二栅介质层为掩膜刻蚀所述浮栅材料层，直至暴露出所述衬底的顶部表面为止，形成两个初始浮栅结构，两个所述初始浮栅结构之间具有初始第一开口；在所述初始第一开口暴露出的所述初始浮栅结构的侧壁、以及所述衬底的顶部表面形成第二隧穿氧化层，形成两个所述浮栅结构，且使得所述初始第一开口形成所述第一开口；在所述第一开口和所述第二开口内形成所述字线结构。

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