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龙图腾网获悉圣邦微电子(北京)股份有限公司申请的专利一种valley模式DC-DC转换器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114696608B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011564446.9，技术领域涉及：H02M3/158；该发明授权一种valley模式DC-DC转换器是由许晶;于翔设计研发完成，并于2020-12-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种valley模式DC-DC转换器在说明书摘要公布了：本申请公开了一种valley模式DC‑DC转换器，包括反馈控制单元和转换单元，所述反馈控制单元基于输出电压和参考电压生成反馈电压；反馈控制单元包括电流检测单元、NMOS管、误差放大器和逻辑控制电路；电流检测单元检测NMOS管的导通电流并生成感应电流；误差放大器基于参考电压和反馈电压生成误差放大电压；比较器基于误差放大电压和电流检测单元输出生成逻辑控制量；逻辑控制电路基于逻辑控制量和时钟信号控制转换单元生成输出电压。本发明电流检测单元只检测NMOS的电流，逻辑控制电路的输入信号变为高电平后，PMOS可以立刻被关掉，因此PMOS导通的时间可以很短，满足小占空比的应用。

本发明授权一种valley模式DC-DC转换器在权利要求书中公布了：1.一种Valley模式DC-DC转换器转换器，包括反馈控制单元和转换单元，其特征在于： 所述反馈控制单元基于输出电压Vout生成反馈电压VFB； 所述反馈控制单元包括逻辑控制电路Logic、误差放大器、分压串联电阻单元、比较器comp、NMOS管、电流检测单元、直流电流源IDC、斜坡电流源ISLOPE、电阻RSUM和开关S1； 所述电流检测单元用于检测NMOS管的导通电流，并基于所述NMOS管的导通电流生成感应电流ISENSE； 所述误差放大器基于参考电压Vref和所述反馈控制单元生成的反馈电压VFB生成误差放大电压VEA； 所述比较器comp基于误差放大电压VEA和电流检测单元输出Vsum生成并输出逻辑控制量Comp给逻辑控制电路Logic；所述比较器comp负相输入端接入误差放大电压VEA，正相输入端接入所述电流检测单元的输出，所述比较器comp输出端接入逻辑控制电路Logic；所述电流检测单元分别与所述NMOS管的源漏极相连接并基于所述NMOS管的源漏极电流输出感应电流，所述电流检测单元的输出端分别连接直流电流源IDC、斜坡电流源ISLOPE、电阻RSUM和开关S1的一端，直流电流源和斜坡电流源另一端接电源电压，电阻RSUM和开关S1的另一端均接地； 所述转换单元包括PMOS管、电感L和电容Cout；所述转换单元的PMOS管受控于逻辑控制电路Logic，逻辑控制电路Logic基于所述逻辑控制量Comp和时钟信号CLK，控制转换单元生成输出电压Vout；所述PMOS管的源极接电源电压；所述电感L一端与所述PMOS管的漏极相连接，所述电感L另一端为输出电压Vout，所述电感L连接反馈控制单元的分压串联电阻单元一端；所述电容Cout一端接所述转换器的输出端，另一端接地。

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