华为技术有限公司;华中科技大学游龙获国家专利权
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龙图腾网获悉华为技术有限公司;华中科技大学申请的专利一种计算器件、计算芯片以及计算方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115050402B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110251732.8，技术领域涉及：G11C11/16；该发明授权一种计算器件、计算芯片以及计算方法是由游龙;张帅;唐文涛;陈镇江;赵俊峰;罗时江设计研发完成，并于2021-03-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种计算器件、计算芯片以及计算方法在说明书摘要公布了：一种计算器件、计算芯片以及计算方法。本申请中，该计算器件的磁存储单元可以存储数据，磁存储单元包括层叠的重金属层以及磁体层。该计算器件的两个电流输入电路可以向磁存储单元中的重金属层中注入不同方向的电流。该计算器件的读电路与磁体层连接，可以读取磁存储单元的阻值，其中，磁存储单元的阻值在第一电流相同的情况下，随着多次注入的电流呈概率分布。本发明实施例提供的计算器件能够借助两个电流输入电路改变重金属层中的电流，可以使得磁体层的磁化方向以一定概率发生翻转，导致磁存储单元的阻值以一定概率发生变化，实现概率比特，且实现方式难度较小。
本发明授权一种计算器件、计算芯片以及计算方法在权利要求书中公布了：1.一种计算器件，其特征在于，包括： 磁存储单元，用于存储数据，其中，所述磁存储单元包括层叠的重金属层以及磁体层； 第一电流输入电路，用于向所述磁存储单元中的重金属层注入第一方向的第一电流； 第二电流输入电路，用于向所述磁存储单元中的重金属层多次注入第二方向的第二电流，其中，所述第一方向和所述第二方向相对； 读电路，连接所述磁体层，并用于读取所述磁存储单元的阻值，其中，所述磁存储单元的阻值在所述第一电流相同的情况下，随着所述多次注入的第二电流呈概率分布。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华为技术有限公司;华中科技大学，其通讯地址为：518129 广东省深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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