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龙图腾网获悉广东晶智光电科技有限公司申请的专利晶片酸洗槽获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223616355U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422973275.5，技术领域涉及：B08B3/08；该实用新型晶片酸洗槽是由何诗亮;李镇宏;李丽波;狄聚青设计研发完成，并于2024-12-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本晶片酸洗槽在说明书摘要公布了：一种晶片酸洗槽至少用于放置霍尔测试的方形的晶片、进而放置到盛有腐蚀液的容器中对放置的晶片进行腐蚀，晶片酸洗槽包括主体以及第一十字隔断；主体具有上表面和下表面、周面及第一凹槽，第一凹槽从上表面往下凹入并与下表面间隔开，第一凹槽沿厚度方向的投影为正方形；第一十字隔断位于第一凹槽内，第一十字隔断的顶面低于上表面，第一凹槽用于水平放置方形的大尺寸规格晶片在第一十字隔断的顶面上；第一十字隔将第一凹槽分隔成四个第二凹槽，第二凹槽沿厚度方向的投影为正方形，第二凹槽用于水平放置方形的小尺寸规格晶片在其内；主体在各第二凹槽的四个底部拐角设有四个贯通孔，各贯通孔贯通主体，各贯通孔沿厚度方向的投影为正方形。

本实用新型晶片酸洗槽在权利要求书中公布了：1.一种晶片酸洗槽，至少用于放置霍尔测试的方形的晶片、进而放置到盛有腐蚀液的容器200中对放置的晶片进行腐蚀，其特征在于， 晶片酸洗槽100包括主体1以及第一十字隔断2； 主体1具有沿厚度方向T的相反的上表面11和下表面12、连接在上表面11和下表面12之间的周面13、以及第一凹槽14， 第一凹槽14从上表面11往下凹入第一深度并与下表面12间隔开，第一凹槽14沿厚度方向T的投影为正方形； 第一十字隔断2位于第一凹槽14内，第一十字隔断2的顶面在厚度方向T上低于主体1的上表面11，第一凹槽14用于水平放置霍尔测试的方形的大尺寸规格晶片300在第一十字隔断2的顶面上； 第一十字隔将第一凹槽14分隔成四个第二凹槽15，第二凹槽15沿厚度方向T的投影为正方形，第二凹槽15用于水平放置霍尔测试的方形的小尺寸规格晶片400在其内； 主体1在各第二凹槽15的四个底部拐角设有四个贯通孔16，各贯通孔16沿厚度方向T贯通主体1，各贯通孔16沿厚度方向T的投影为正方形，各贯通孔16用于供腐蚀液从主体1外部流入到第二凹槽15和第一凹槽14中。

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