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龙图腾网获悉东莞市中镓半导体科技有限公司申请的专利自支撑氮化镓衬底的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113903655B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111098433.1，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权自支撑氮化镓衬底的制作方法是由任俊杰;王帅设计研发完成，并于2021-09-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本自支撑氮化镓衬底的制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种自支撑氮化镓衬底的制作方法，包括：1提供一复合衬底，包括蓝宝石衬底以及氮化镓薄膜；2于氮化镓薄膜上形成临时粘结层；3将转移衬底通过临时粘结层键合于复合衬底上；4通过激光剥离工艺剥离蓝宝石衬底；5将承接衬底与氮化镓薄膜进行弱键合，并通过使临时粘结层失效以将转移衬底从氮化镓薄膜上剥离；6在氮化镓薄膜上外延生长氮化镓外延层，通过氮化镓薄膜及氮化镓外延层与承接衬底之间晶格失配应力和或热失配应力，使弱键合失效，以实现氮化镓薄膜与承接衬底之间的分离。本发明可有效克服晶格失配和热失配而导致异质氮化镓外延层厚度受限的缺陷，提高自支撑氮化镓衬底的质量，降低自支撑氮化镓衬底的制作成本。

本发明授权自支撑氮化镓衬底的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种自支撑氮化镓衬底的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括： 1提供一复合衬底，所述复合衬底包括蓝宝石衬底以及形成于所述蓝宝石衬底上的氮化镓薄膜； 2于所述氮化镓薄膜上形成临时粘结层； 3提供一转移衬底，将所述转移衬底通过所述临时粘结层键合于所述复合衬底上； 4通过激光剥离工艺剥离所述蓝宝石衬底，显露出所述氮化镓薄膜； 5提供一承接衬底，将所述承接衬底与所述氮化镓薄膜进行弱键合，并使所述临时粘结层失效以将所述转移衬底从所述氮化镓薄膜上剥离；步骤5包括：于所述承接衬底表面形成第一金属栅格，于所述氮化镓薄膜表面形成第二金属栅格，将所述第一金属栅格与所述第二金属栅格层叠后，通过键合工艺使所述第一金属栅格与所述第二金属栅格相互扩散以使所述承接衬底与所述氮化镓薄膜弱键合，同时所述键合工艺使所述临时粘结层失效而将所述转移衬底从所述氮化镓薄膜上剥离； 6在所述氮化镓薄膜上外延生长氮化镓外延层，所述氮化镓外延层生长至一定厚度后，通过所述氮化镓薄膜及所述氮化镓外延层与所述承接衬底之间晶格失配应力和热失配应力，使所述氮化镓薄膜与所述承接衬底之间的弱键合状态失效，以实现所述氮化镓薄膜与所述承接衬底之间的分离，获得自支撑氮化镓衬底； 所述键合工艺的温度低于所述第一金属栅格与所述第二金属栅格的熔化温度； 步骤2通过旋涂工艺于所述氮化镓薄膜上形成临时粘结层，所述临时粘结层包括环氧树脂及高温蜡中的一种。

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