台湾积体电路制造股份有限公司萧锦涛获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利集成电路及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114078808B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110194374.1，技术领域涉及：H01L23/50；该发明授权集成电路及其形成方法是由萧锦涛;曾健庭;林威呈设计研发完成，并于2021-02-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成电路及其形成方法在说明书摘要公布了：一种集成电路，包括布置在第一层中的第一对电源轨和第二对电源轨；布置在该第一层上方的第二层中的导电线；以及布置在该第二层上方的第三层中的第一有源区。第一有源区设置为与该第一对电源轨重叠。第一有源区通过导电线中的第一线和第一组通孔耦合到第一对电源轨，并且该第一有源区通过导电线中的至少一条第二线和不同于该第一组通孔的第二组通孔耦合到第二对电源轨。本发明的实施例还涉及形成集成电路的方法。
本发明授权集成电路及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种集成电路，包括： 第一对电源轨和第二对电源轨，布置在第一层中并在第一方向上延伸； 多条导电线，布置在所述第一层上方的第二层中，其中，所述多条导电线在不同于所述第一方向的第二方向上延伸并跨过所述第一对电源轨和所述第二对电源轨； 第一有源区，布置在所述第二层上方的第三层中并在所述第二方向上延伸，其中，所述第一有源区设置为与所述第一对电源轨重叠； 第一栅极，布置在所述第一有源区上方；以及 导电迹线，布置在所述第一栅极上方并耦合到所述第一栅极， 其中，所述第一有源区通过所述多条导电线中的第一线和第一组通孔耦合到所述第一对电源轨，并且所述第一有源区通过所述多条导电线中的至少一条第二导电线和不同于所述第一组通孔的第二组通孔耦合到所述第二对电源轨。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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