买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体器件的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114156177B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010933007.4，技术领域涉及：H01L21/3115；该发明授权半导体器件的形成方法是由张海洋;纪世良;刘盼盼设计研发完成，并于2020-09-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件的形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体器件的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成待刻蚀层；在所述待刻蚀层上形成图案化的核心层；在所述核心层侧面形成保护层或在所述核心层侧面和顶面形成保护层；对所述待刻蚀层进行处理；去除待刻蚀层后在所述半导体衬底上形成图案；其中，去除待刻蚀层过程中所述核心层的保护层被一同去除。上述的方案，可以提高所形成的半导体器件的性能。

本发明授权半导体器件的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于， 包括： 提供半导体衬底； 在所述半导体衬底上形成待刻蚀层，所述待刻蚀层包括刻蚀停止材料层和位于所述刻蚀停止材料层上的硬掩模材料层； 在所述待刻蚀层上形成图案化的核心层； 在所述核心层侧面形成保护层或在所述核心层侧面和顶面形成保护层； 对所述待刻蚀层进行处理，包括： 以所述核心层为掩膜刻蚀所述硬掩模材料层，直至暴露出所述刻蚀停止材料层的顶部表面，形成图案化的硬掩模层； 形成图案化的硬掩模层之后，以所述核心层和所述硬掩模层为掩膜对所述刻蚀停止材料层执行材料改性处理工艺，所述材料改性处理的工艺为等离子体处理工艺； 执行材料改性处理工艺之后，以所述核心层和所述硬掩模层为掩膜去除所述刻蚀停止材料层中经材料改性处理的区域，形成图案化的刻蚀停止层； 以所述核心层和所述硬掩模层为掩膜对所述刻蚀停止材料层执行材料改性处理的过程中，还对所述核心层执行了所述材料改性处理工艺； 以所述核心层和所述硬掩模层为掩膜去除所述刻蚀停止材料层中经材料改性处理的区域的过程中，还刻蚀去除了所述核心层； 去除待刻蚀层后在所述半导体衬底上形成目标图案；其中，去除待刻蚀层过程中所述核心层的保护层被一同去除。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。