华虹半导体(无锡)有限公司李佳龙获国家专利权
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龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114334822B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111556552.7，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体结构的形成方法是由李佳龙;范晓设计研发完成，并于2021-12-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括标记区以及器件区；在所述衬底上形成第一掩膜结构，所述第一掩膜结构内具有暴露出部分所述标记区的第一掩膜开口、以及暴露出部分所述器件区的第二掩膜开口；刻蚀所述第一掩膜开口底部的衬底，在所述标记区内形成第一开口；在所述第一开口内形成对位结构；刻蚀所述第二掩膜开口底部的衬底，在所述器件区内形成第二开口；在第二开口内形成隔离结构。所述半导体结构的形成方法简化了深沟槽结构与对位标记的形成工艺，从而提升了半导体制备工艺的可靠性。
本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底包括标记区以及器件区； 在所述衬底上形成第一掩膜结构，所述第一掩膜结构内具有暴露出部分所述标记区的第一掩膜开口、以及暴露出部分所述器件区的第二掩膜开口； 刻蚀所述第一掩膜开口底部的衬底，在所述标记区内形成第一开口； 在所述第一开口内形成对位结构； 刻蚀所述第二掩膜开口底部的衬底，在所述器件区内形成第二开口； 在第二开口内形成隔离结构；其中， 所述对位结构还位于所述第一掩膜开口； 在形成所述第二开口的过程中，位于所述第一掩膜开口内的所述对位结构作为刻蚀缓冲层，保护位于所述第一开口内的所述对位结构不受刻蚀工艺的影响。
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