意法半导体(图尔)公司M·布夫尼彻尔获国家专利权
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龙图腾网获悉意法半导体(图尔)公司申请的专利电容器制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114630501B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111520468.X，技术领域涉及：H05K3/06；该发明授权电容器制造方法是由M·布夫尼彻尔设计研发完成，并于2021-12-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本电容器制造方法在说明书摘要公布了：本说明书涉及一种电容器制造方法，包括以下步骤：a形成堆栈，该堆栈从基板的上表面起依次包括由铝或铝基合金制成的第一导电层、第一电极、第一介电层和第二电极；b通过化学等离子体蚀刻对堆栈的上部进行蚀刻，所述化学等离子体蚀刻在第一导电层的上表面之前中断；和c通过物理等离子体蚀刻对堆栈的下部进行蚀刻，所述物理等离子体蚀刻在第一导电层的上表面中断。
本发明授权电容器制造方法在权利要求书中公布了：1.一种方法，包括： 形成电容器，包括： 形成堆栈，包括： 在基板的第一表面上形成第一导电层，所述第一导电层包括铝或铝基合金； 在所述第一导电层的第二表面上形成第一电极； 在所述第一电极上形成第一介电层；以及 在所述第一介电层上形成第二电极； 通过化学等离子体蚀刻来蚀刻所述堆栈的上部，所述化学等离子体蚀刻在到达所述第一导电层的第二表面之前被停住；以及 通过物理等离子体蚀刻来蚀刻所述堆栈的下部，所述物理等离子体蚀刻在所述第一导电层的所述第二表面处被停住。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人意法半导体(图尔)公司，其通讯地址为：法国图尔；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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