上海美仁半导体有限公司樊海军获国家专利权
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龙图腾网获悉上海美仁半导体有限公司申请的专利Flash存储器的数据读写方法、系统以及介质、设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114637469B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210283860.5，技术领域涉及：G06F3/06；该发明授权Flash存储器的数据读写方法、系统以及介质、设备是由樊海军设计研发完成，并于2022-03-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本Flash存储器的数据读写方法、系统以及介质、设备在说明书摘要公布了：本发明公开了一种Flash存储器的数据读写方法、系统以及介质、设备，方法包括：确定向Flash存储器写入数据，获取当前写入片区；检测到当前写入片区的存储空间不满足待写入数据的存储需求，根据当前写入片区确定目标写入片区，并将当前写入片区的状态值从使用中调整为已满；将待写入数据写入目标写入片区；检测到需要擦除状态值为已满的片区，擦除状态值为已满的片区中的数据。该数据读写方法可大大减少Flash存储器的擦除次数，提高了Flash存储器的使用寿命。
本发明授权Flash存储器的数据读写方法、系统以及介质、设备在权利要求书中公布了：1.一种Flash存储器的数据读写方法，其特征在于，所述Flash存储器包括多个片区，所述方法包括： 确定向所述Flash存储器写入数据，获取当前写入片区； 检测到所述当前写入片区的存储空间不满足待写入数据的存储需求，根据所述当前写入片区确定目标写入片区，并将所述当前写入片区的状态值从使用中调整为已满；其中，所述片区当前状态包括已满、使用中和空三个状态； 将所述待写入数据写入所述目标写入片区； 检测到需要擦除状态值为已满的片区，擦除状态值为已满的片区中的数据； 所述确定需要擦除状态值为已满的片区中的数据，包括： 统计状态值为已满的片区的数量； 检测到所述数量达到预设阈值，确定需要擦除状态值为已满的片区中的数据。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海美仁半导体有限公司，其通讯地址为：201615 上海市松江区九亭镇中心路1158号21幢1303室-1；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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