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龙图腾网获悉3-5电力电子有限责任公司申请的专利IGBT半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114664922B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210275292.4，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权IGBT半导体结构是由V·杜德克设计研发完成，并于2017-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本IGBT半导体结构在说明书摘要公布了：IGBT半导体结构10具有p+衬底24，n‑层28，至少一个在所述n‑层28邻接的p区域32和至少一个在所述p区域32处邻接的n+区域34，其分别包括GaAs化合物或由GaAs化合物构成，介电层20和三个连接接通部14,16,18，其中，所述p区域32与所述n‑层28形成第一pn结36，并且所述n+区域34与所述至少一个p区域32形成第二pn结38，所述介电层20覆盖所述第一pn结36和所述第二pn结38，所述第二连接接通部16形成在所述介电层20上的场板，并且在所述p+衬底24和所述n‑层28之间布置有经掺杂的中间层26，所述中间层具有1微米至50微米的层厚度D3和1012‑1017cm‑3的掺杂剂浓度，其中，所述中间层26至少与所述p+衬底24材料锁合地连接。

本发明授权IGBT半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种IGBT半导体结构10，其具有上侧12和下侧22，所述IGBT半导体结构具有： -p+衬底24，所述p+衬底构造在所述IGBT半导体结构10的下侧22处，且所述p+衬底具有5*1018-5*1020cm-3的掺杂剂浓度、 50-500微米的层厚度D1并且由GaAs化合物构成， -n-层28，所述n-层具有1012-1017cm-3的掺杂剂浓度、10-300微米的层厚度D2并且由GaAs化合物构成， -至少一个p区域32，所述至少一个p区域邻接所述n-层28并且具有1014-1018cm-3的掺杂剂浓度并且由GaAs化合物构成， -至少一个n+区域34，所述至少一个n+区域邻接所述p区域32并且具有至少1019cm-3的掺杂剂浓度并且由GaAs化合物构成， -介电层20， -第一连接接通部14，所述第一连接接通部与所述IGBT半导体结构10的下侧22导电连接，且所述第一连接接通部包括金属或金属化合物，或者由金属或金属化合物构成， -第二连接接通部16和第三连接接通部18，所述第二连接接通部和第三连接接通部分别包括金属或金属化合物，或者由金属或金属化合物构成， 其中， -所述至少一个p区域32与所述n-层28形成第一pn结36， -所述至少一个n+区域34与所述至少一个p区域32形成第二pn结38， -所述介电层20至少覆盖所述第一pn结36和所述第二pn结38，并且与所述n-层28、所述p区域32以及所述n+区域34材料锁合地连接， -所述IGBT半导体结构10包括沟槽，其中，所述介电层20垂直于所述IGBT半导体结构10的上侧12地延伸， -所述第二连接接通部16在所述介电层20上构造为场板，并且 -所述第三连接接通部18布置在半导体结构10的与沟槽的侧面44相对置的侧面50处，且与所述至少一个p区域32以及至少一个n+区域34导电连接， 在所述p+衬底24与所述n-层28之间布置有经掺杂的中间层26，所述经掺杂的中间层具有1微米至50微米的层厚度D3以及1012-1017cm-3的掺杂剂浓度，其中，所述中间层26至少与所述p+衬底24材料锁合地连接。

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