爱玻索立克公司金性振获国家专利权
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龙图腾网获悉爱玻索立克公司申请的专利封装基板以及半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114678339B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210330465.8，技术领域涉及：H01L23/485；该发明授权封装基板以及半导体装置是由金性振;卢荣镐;金镇哲;张炳圭设计研发完成，并于2020-03-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本封装基板以及半导体装置在说明书摘要公布了：本实施方式涉及封装基板和半导体装置，上述半导体装置包括具备半导体元件的元件部，及与上述元件部电连接的封装基板；通过将玻璃基板适用作为上述封装基板的芯，以使半导体元件和母板更紧密地连接，从而以尽可能短的距离传输电信号。为此，提供一种封装基板，显著改善信号传输速度等电特性，实质上防止寄生元件的产生，从而能够进一步简化绝缘膜处理工序，且可适用于高速电路。
本发明授权封装基板以及半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种封装基板，其特征在于， 上述封装基板包括芯层和位于上述芯层上的上部层， 上述芯层包括玻璃基板和芯通孔， 上述玻璃基板包括相向的第一表面和第二表面， 上述芯通孔在厚度方向上贯穿上述玻璃基板，且设置有多个， 上述芯层包括位于上述玻璃基板或上述芯通孔的表面上的芯分配层， 上述芯分配层的至少一部分通过上述芯通孔使上述第一表面上的导电层和上述第二表面上的导电层电连接， 上述上部层包括位于上述第一表面上且使上述芯分配层和外部的半导体元件部电连接的导电层， 上述芯通孔通过对形成有凹槽的上述玻璃基板进行化学蚀刻过程来形成， 作为上述芯分配层的导电层与上述玻璃基板具有3Ncm以上的粘合力， 上述上部层包括上部绝缘层和上部分配图案， 上述上部绝缘层为位于上述第一表面上的绝缘层， 上述上部分配图案为上述上部分配图案的至少一部分与上述芯分配层电连接的导电层， 上述上部分配图案内嵌于上述上部绝缘层中， 在上述上部分配图案的至少一部分包括微细图案， 上述微细图案的宽度小于4μm，且相邻的微细图案之间的间隔小于4μm， 上述上部绝缘层包括平均直径为1nm至100nm的无机颗粒状填料。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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