苏州能讯高能半导体有限公司张晖获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉苏州能讯高能半导体有限公司申请的专利半导体器件的外延结构、器件及外延结构的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114678411B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011573138.2，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体器件的外延结构、器件及外延结构的制备方法是由张晖;谈科伟;孔苏苏;李仕强;周文龙;杜小青设计研发完成，并于2020-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件的外延结构、器件及外延结构的制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种半导体器件的外延结构、器件及外延结构的制备方法。该外延结构包括：衬底；第一半导体层，位于衬底上，第一半导体层包括缓冲层，缓冲层至少包括层叠设置的第一缓冲层、第二缓冲层和第三缓冲层，第二缓冲层位于第一缓冲层和第三缓冲层之间；其中，缓冲层中掺杂有铁杂质，且铁杂质集中分布在第二缓冲层中。上述外延结构能够在实现高阻缓冲层的同时，兼顾晶体质量以及器件的亚阈值特性。
本发明授权半导体器件的外延结构、器件及外延结构的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的外延结构，其特征在于，包括： 衬底； 第一半导体层，位于所述衬底上，所述第一半导体层包括缓冲层，所述缓冲层至少包括层叠设置的第一缓冲层、第二缓冲层和第三缓冲层，所述第二缓冲层位于所述第一缓冲层和所述第三缓冲层之间； 其中，所述缓冲层掺杂有铁杂质，且所述铁杂质集中分布在所述第二缓冲层中，所述第一缓冲层具有碳杂质，所述第二缓冲层中掺杂有碳杂质，所述第一缓冲层的碳杂质浓度小于所述第二缓冲层的碳杂质浓度；且，所述第三缓冲层具有碳杂质，所述第三缓冲层的碳杂质浓度小于所述第一缓冲层的碳杂质浓度；所述第二缓冲层的碳杂质浓度小于所述第二缓冲层的铁杂质浓度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人苏州能讯高能半导体有限公司，其通讯地址为：215300 江苏省苏州市昆山市玉山镇晨丰路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励