苏州能讯高能半导体有限公司裴轶获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州能讯高能半导体有限公司申请的专利半导体器件和半导体器件的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695523B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011607883.4，技术领域涉及：H10D64/00；该发明授权半导体器件和半导体器件的制备方法是由裴轶;宋晰设计研发完成，并于2020-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件和半导体器件的制备方法在说明书摘要公布了：本发明的实施例提供了一种半导体器件和半导体器件的制备方法，涉及微电子技术领域，该半导体器件包括衬底、半导体外延层、金属电极、源场板和金属互联层，半导体外延层位于衬底一侧，金属电极包括源极、栅极和漏极，且源极、栅极和漏极均位于半导体外延层远离衬底一侧，源场板位于栅极远离衬底的一侧，并与栅极间隔设置，其中，栅极和源场板之间形成介质空间，源场板和金属互联层一体设置。本发明使得金属互联层和源场板能够一体成型，相较于现有的分体结构，使得器件结构更加简单，并且简化了工艺步骤，节约了生产成本，提升了生产效率。
本发明授权半导体器件和半导体器件的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 衬底； 位于所述衬底一侧的半导体外延层； 位于所述半导体外延层远离所述衬底一侧的源极、栅极和漏极； 位于所述栅极远离所述衬底的一侧，并与所述栅极间隔设置的源场板； 以及，位于所述源极远离所述衬底的一侧，并与所述源极连接的金属互联层； 其中，所述栅极和所述源场板之间形成介质空间，所述源场板和所述金属互联层一体设置； 所述金属互联层上设置有隔离结构，所述隔离结构将所述金属互联层分隔成至少两个金属导电块，至少一个所述金属导电块与所述源场板一体设置； 所述金属互联层在所述衬底上的投影面积大于所述源极在所述衬底上的投影面积。
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