苏州能讯高能半导体有限公司李元获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉苏州能讯高能半导体有限公司申请的专利一种半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695535B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011635294.7，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权一种半导体器件及其制备方法是由李元设计研发完成，并于2020-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，该半导体器件包括有源区；该半导体器件还包括衬底；电极结构，位于衬底一侧且位于有源区，电极结构包括多个栅极以及与所述栅极相邻设置的多个相邻电极；介质层，位于电极结构远离衬底的一侧，介质层覆盖电极结构；多个栅极键合盘，每个栅极键合盘至少部分位于有源区且与相邻电极在衬底所在平面上的垂直投影部分重合，且每个栅极键合盘还至少包括位于介质层远离衬底一侧的部分，栅极键合盘与栅极电连接。本发明提供的半导体器件，将至少部分栅极键合盘设置于有源区，可大大减小无源区的面积，从而减小半导体器件的整体面积，提高半导体器件的集成度，进而大大降低芯片的成本。
本发明授权一种半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括有源区； 所述半导体器件还包括： 衬底； 电极结构，位于所述衬底一侧且位于所述有源区，所述电极结构包括多个栅极以及与所述栅极相邻设置的多个相邻电极，所述相邻电极为源极或漏极，所述栅极位于所述源极和所述漏极之间； 介质层，位于所述电极结构远离所述衬底的一侧，所述介质层覆盖所述电极结构； 多个栅极键合盘，每个所述栅极键合盘至少部分位于所述有源区且与所述相邻电极在所述衬底所在平面上的垂直投影部分重合，且每个所述栅极键合盘还至少包括位于所述介质层远离所述衬底一侧的部分，所述栅极键合盘与所述栅极电连接； 所述半导体器件还包括位于所述衬底远离所述电极结构一侧的源极背电极，所述源极与所述源极背电极通过过孔电连接； 所述过孔贯穿所述衬底； 所述栅极键合盘在所述衬底所在平面上的垂直投影与所述过孔在所述衬底所在平面上的垂直投影不交叠。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人苏州能讯高能半导体有限公司，其通讯地址为：215300 江苏省苏州市昆山市高新区晨丰路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励