力晶积成电子制造股份有限公司黄彦智获国家专利权
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龙图腾网获悉力晶积成电子制造股份有限公司申请的专利平坦化方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114724946B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110095422.1，技术领域涉及：H01L21/3213；该发明授权平坦化方法是由黄彦智设计研发完成，并于2021-01-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本平坦化方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种平坦化方法，包括以下步骤。提供基底。基底包括第一区与第二区。在基底上形成材料层。第一区的材料层的顶面低于第二区的材料层的顶面。在第一区的材料层上形成图案化光致抗蚀剂层。图案化光致抗蚀剂层暴露出第二区的材料层的顶面。图案化光致抗蚀剂层的顶面高于第二区的材料层的顶面。对图案化光致抗蚀剂层进行第一蚀刻制作工艺，以使得图案化光致抗蚀剂层的顶面与第二区的材料层的顶面具有实质上相同的高度。对图案化光致抗蚀剂层与材料层进行第二蚀刻制作工艺。在第二蚀刻制作工艺中，图案化光致抗蚀剂层的蚀刻率与材料层的蚀刻率实质上相同。
本发明授权平坦化方法在权利要求书中公布了：1.一种平坦化方法，包括： 提供基底，其中所述基底包括第一区与第二区； 在所述基底上形成材料层，其中所述第一区的所述材料层的顶面低于所述第二区的所述材料层的顶面； 在所述第一区的所述材料层上形成图案化光致抗蚀剂层，其中所述图案化光致抗蚀剂层暴露出所述第二区的所述材料层的顶面，且所述图案化光致抗蚀剂层的顶面高于所述第二区的所述材料层的顶面； 对所述图案化光致抗蚀剂层进行第一蚀刻制作工艺，以移除部分的该图案化光致抗蚀剂层使得减薄后的所述图案化光致抗蚀剂层的顶面与所述第二区的所述材料层的顶面具有实质上相同的高度，其中在所述第一蚀刻制作工艺中，所述图案化光致抗蚀剂层的蚀刻率大于所述材料层的蚀刻率；以及 对减薄后的所述图案化光致抗蚀剂层与所述材料层进行第二蚀刻制作工艺，其中在所述第二蚀刻制作工艺中，减薄后的所述图案化光致抗蚀剂层的蚀刻率与所述材料层的蚀刻率实质上相同。
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