昆山一鼎工业科技有限公司陈利解获国家专利权
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龙图腾网获悉昆山一鼎工业科技有限公司申请的专利半导体引线框架蚀刻产品制造的脱膜装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114724959B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210341732.1,技术领域涉及:H01L21/48;该发明授权半导体引线框架蚀刻产品制造的脱膜装置是由陈利解;门松明珠;周爱和设计研发完成,并于2022-03-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体引线框架蚀刻产品制造的脱膜装置在说明书摘要公布了:本发明属于半导体集成电路引线框架蚀刻制造技术领域,具体涉及发明半导体引线框架蚀刻产品制造的脱膜装置,这种发明半导体引线框架蚀刻产品制造的脱膜装置包括:依次连通的浸水洗上槽、喷水洗上槽和脱膜机构;浸水洗上槽连通有上水过滤系统,上水过滤系统采用水泵输送,浸水洗上槽连通有母槽自循环系统;喷水洗上槽包括槽体、设于槽体底部的内子槽和设于槽体上部的上喷管;脱模机构包括与喷水洗上槽对接的对接框架、设于对接框架内的转动滚筒和用于驱动转动滚筒转动的转动电机。这种发明半导体引线框架蚀刻产品制造的脱膜装置具有通过脱膜装置的喷射浸润、喷射浸渍和喷射冲击,使蚀刻产品附着异物的现象大幅度下降的效果。
本发明授权半导体引线框架蚀刻产品制造的脱膜装置在权利要求书中公布了:1.一种半导体引线框架蚀刻产品制造的脱膜装置,其特征在于,包括: 依次连通的浸水洗上槽1、喷水洗上槽2和脱膜机构3; 所述浸水洗上槽1连通有上水过滤系统4,所述上水过滤系统4采用水泵输送,所述浸水洗上槽1连通有母槽自循环系统5; 所述喷水洗上槽2包括槽体21、设于槽体21底部的内子槽22和设于槽体21上部的上喷管23; 所述脱膜机构3包括与所述喷水洗上槽2对接的对接框架31、设于对接框架31内的转动滚筒32和用于驱动转动滚筒32转动的转动电机33,所述对接框架31远离所述喷水洗上槽2一侧设置有出料口34,所述对接框架31内设置有脱膜喷水管35; 所述浸水洗上槽1包括依次连通的第一浸水洗槽11和第二浸水洗槽12; 所述上水过滤系统4包括若干个连通所述浸水洗上槽1的上水过滤筒41和用于将所述浸水洗上槽1内的水通入上水过滤筒41的上水水泵42; 所述母槽自循环系统5包括过滤母槽51和设于过滤母槽51上的过滤水泵52。
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